产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(110)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(23)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(87)
筛选品牌
Diodes Incorporated(14)
Infineon Technologies(3)
Nexperia USA Inc.(60)
NXP USA Inc.(2)
Taiwan Semiconductor Corporation(9)
Texas Instruments(3)
Vishay Siliconix(19)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 520mW（Ta） X2-DFN1006-3
型号：
DMN2320UFB4-7B
仓库库存编号：
DMN2320UFB4-7BDICT-ND
别名：DMN2320UFB4-7BDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） 3-DFN
型号：
DMN3730UFB-7
仓库库存编号：
DMN3730UFB-7CT-ND
别名：DMN3730UFB-7CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.1A, 700mA 390mW Surface Mount X2-DFN1310-6
型号：
DMC3730UFL3-7
仓库库存编号：
DMC3730UFL3-7DICT-ND
别名：DMC3730UFL3-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
型号：
DMN2019UTS-13
仓库库存编号：
DMN2019UTS-13DICT-ND
别名：DMN2019UTS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 590mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006B-3
型号：
PMZB550UNEYL
仓库库存编号：
1727-2331-1-ND
别名：1727-2331-1
568-12617-1
568-12617-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 380mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PMDXB950UPELZ
仓库库存编号：
1727-2601-1-ND
别名：1727-2601-1
568-13060-1
568-13060-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 380mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PMDXB600UNELZ
仓库库存编号：
1727-2600-1-ND
别名：1727-2600-1
568-13059-1
568-13059-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 360mW（Ta），5.68W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB350UPE
仓库库存编号：
1727-1473-1-ND
别名：1727-1473-1
568-10944-1
568-10944-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB290UNE,315
仓库库存编号：
1727-1378-1-ND
别名：1727-1378-1
568-10840-1
568-10840-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.6A 515mW Surface Mount DFN2020-6
型号：
PMDPB58UPE,115
仓库库存编号：
1727-1237-1-ND
别名：1727-1237-1
568-10442-1
568-10442-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 490mW（Ta）, 4.15W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV27UPEAR
仓库库存编号：
1727-2529-1-ND
别名：1727-2529-1
568-12968-1
568-12968-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET ARRAY N/PCH 30V DFN1010B6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 590mA (Ta), 410mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PMCXB1000UEZ
仓库库存编号：
1727-2737-1-ND
别名：1727-2737-1
568-13301-1
568-13301-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 480mA（Ta） 350mW（Ta） DFN1006-3
型号：
PMZ1000UN,315
仓库库存编号：
1727-5860-1-ND
别名：1727-5860-1
568-7439-1
568-7439-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6401GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML6401GTRPBFCT-ND
别名：IRLML6401GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
型号：
PMZB320UPEYL
仓库库存编号：
1727-2329-1-ND
别名：1727-2329-1
568-12615-1
568-12615-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV32UP,215
仓库库存编号：
1727-1153-1-ND
别名：1727-1153-1
568-10321-1
568-10321-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ290UNE2YL
仓库库存编号：
1727-2233-1-ND
别名：1727-2233-1
568-12503-1
568-12503-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 590mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ550UNEYL
仓库库存编号：
1727-2322-1-ND
别名：1727-2322-1
568-12608-1
568-12608-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB290UN,315
仓库库存编号：
1727-1242-1-ND
别名：1727-1242-1
568-10448-1
568-10448-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 360mW（Ta），3.125W（Tc） 3-DFN1006B（0.6x1）
型号：
PMZB350UPE,315
仓库库存编号：
1727-1243-1-ND
别名：1727-1243-1
568-10449-1
568-10449-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ390UNEYL
仓库库存编号：
1727-2234-1-ND
别名：1727-2234-1
568-12504-1
568-12504-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ950UPELYL
仓库库存编号：
1727-2599-1-ND
别名：1727-2599-1
568-13058-1
568-13058-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.78A（Tc） 2.5W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ390UN,315
仓库库存编号：
1727-5861-1-ND
别名：1727-5861-1
568-7442-1
568-7442-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1A XQFN3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 360mW（Ta），3.125W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ350UPEYL
仓库库存编号：
1727-2320-1-ND
别名：1727-2320-1
568-12606-1
568-12606-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 20V SOT666
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA, 550mA 500mW Surface Mount SOT-666
型号：
PMDT290UCE,115
仓库库存编号：
1727-1332-1-ND
别名：1727-1332-1
568-10765-1
568-10765-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
