产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ200UNEYL
仓库库存编号：
1727-2317-1-ND
别名：1727-2317-1
568-12603-1
568-12603-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
20 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 600mA（Tc） 2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ600UNELYL
仓库库存编号：
1727-2598-1-ND
别名：1727-2598-1
568-13057-1
568-13057-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1A（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ290UNEYL
仓库库存编号：
1727-2318-1-ND
别名：1727-2318-1
568-12604-1
568-12604-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ950UPEYL
仓库库存编号：
1727-2324-2-ND
别名：1727-2324-2
568-12610-2
568-12610-2-ND
934068445315
PMZ950UPEYL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ950UPEYL
仓库库存编号：
1727-2324-1-ND
别名：1727-2324-1
568-12610-1
568-12610-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ950UPEYL
仓库库存编号：
1727-2324-6-ND
别名：1727-2324-6
568-12610-6
568-12610-6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PMDXB950UPEZ
仓库库存编号：
1727-2279-1-ND
别名：1727-2279-1
568-12565-1
568-12565-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V XQFN3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 500mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
型号：
PMZB950UPEYL
仓库库存编号：
1727-2333-1-ND
别名：1727-2333-1
568-12619-1
568-12619-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
型号：
PMZB600UNEYL
仓库库存编号：
1727-2332-1-ND
别名：1727-2332-1
568-12618-1
568-12618-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2301BCX RFG
仓库库存编号：
TSM2301BCX RFGTR-ND
别名：TSM2301BCX RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2301BCX RFG
仓库库存编号：
TSM2301BCX RFGCT-ND
别名：TSM2301BCX RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2301BCX RFG
仓库库存编号：
TSM2301BCX RFGDKR-ND
别名：TSM2301BCX RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
20 V, COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA 380mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PMCXB900UELZ
仓库库存编号：
1727-2602-1-ND
别名：1727-2602-1
568-13061-1
568-13061-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 410mA 285mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PMDXB1200UPEZ
仓库库存编号：
1727-2276-1-ND
别名：1727-2276-1
568-12562-1
568-12562-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 590mA 285mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PMDXB550UNEZ
仓库库存编号：
1727-2277-1-ND
别名：1727-2277-1
568-12563-1
568-12563-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2301BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2301BDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2301BDS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
型号：
TSM3911DCX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3911DCX6 RFGTR-ND
别名：TSM3911DCX6 RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
型号：
TSM3911DCX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3911DCX6 RFGCT-ND
别名：TSM3911DCX6 RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
型号：
TSM3911DCX6 RFG
仓库库存编号：
TSM3911DCX6 RFGDKR-ND
别名：TSM3911DCX6 RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
型号：
PMDXB600UNEZ
仓库库存编号：
1727-2278-1-ND
别名：1727-2278-1
568-12564-1
568-12564-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
型号：
PMCXB900UE
仓库库存编号：
1727-1469-1-ND
别名：1727-1469-1
568-10940-1
568-10940-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 490mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV33UPE,215
仓库库存编号：
1727-1376-1-ND
别名：1727-1376-1
568-10834-1
568-10834-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
详细描述：表面贴装 N 沟道 550mA（Ta） 390mW（Ta） X2-DFN0806-3
型号：
DMN3900UFA-7B
仓库库存编号：
DMN3900UFA-7BCT-ND
别名：DMN3900UFA-7BCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.21A（Ta） 470mW（Ta） X1-DFN1212-3
型号：
DMN2300UFD-7
仓库库存编号：
DMN2300UFD-7DICT-ND
别名：DMN2300UFD-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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Texas Instruments
12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD23285F5T
仓库库存编号：
296-44809-1-ND
别名：296-44809-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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