产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
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分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420DYTR
仓库库存编号：
SI4420DYTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7523D1TR
仓库库存编号：
IRF7523D1TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7526D1TR
仓库库存编号：
IRF7526D1TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 10A（Tc） 28W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU014N
仓库库存编号：
IRLU014N-ND
别名：*IRLU014N
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5800
仓库库存编号：
IRF5800-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807A
仓库库存编号：
IRF7807A-ND
别名：*IRF7807A
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7809AV
仓库库存编号：
IRF7809AV-ND
别名：*IRF7809AV
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807VD2
仓库库存编号：
IRF7807VD2-ND
别名：*IRF7807VD2
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5800TR
仓库库存编号：
IRF5800TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807ATR
仓库库存编号：
IRF7807ATR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807VD2TR
仓库库存编号：
IRF7807VD2TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811WTR
仓库库存编号：
IRF7811WTR-ND
别名：SP001572286
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 65A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU7821
仓库库存编号：
IRLU7821-ND
别名：*IRLU7821
Q1500049
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7821TR
仓库库存编号：
IRF7821TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 55V 14A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIB9343
仓库库存编号：
IRLIB9343-ND
别名：*IRLIB9343
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU4343
仓库库存编号：
IRLU4343-ND
别名：*IRLU4343
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU9343
仓库库存编号：
IRLU9343-ND
别名：*IRLU9343
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343TRL
仓库库存编号：
IRLR4343CTL-ND
别名：*IRLR4343TRL
IRLR4343CTL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 19A（Tc） 39W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIB4343
仓库库存编号：
IRLIB4343-ND
别名：*IRLIB4343
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 10A 2W Surface Mount 14-SOIC
型号：
IRF7335D1TR
仓库库存编号：
IRF7335D1TR-ND
别名：Q1902365
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2703SPBF
仓库库存编号：
IRL2703SPBF-ND
别名：*IRL2703SPBF
SP001550348
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 24A（Tc） 75W（Tc） D2PAK
型号：
IRL5602SPBF
仓库库存编号：
IRL5602SPBF-ND
别名：*IRL5602SPBF
SP001572782
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3303PBF
仓库库存编号：
IRL3303PBF-ND
别名：*IRL3303PBF
SP001568314
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303SPBF
仓库库存编号：
IRL3303SPBF-ND
别名：*IRL3303SPBF
SP001573716
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 104A（Tc） 2.4W（Ta），167W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1104SPBF
仓库库存编号：
IRL1104SPBF-ND
别名：*IRL1104SPBF
SP001568256
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
无铅
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