以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL80N4LLF3
  仓库库存编号：497-8486-1-ND
  别名：497-8486-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 30V 24A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 24A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD30PF03L-1
  仓库库存编号：STD30PF03L-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 48A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU70N2LH5
  仓库库存编号：STU70N2LH5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP95N2LH5
  仓库库存编号：497-9093-5-ND
  别名：497-9093-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS30N3LLH6
  仓库库存编号：497-10008-1-ND
  别名：497-10008-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 35W（Tc） DPAK
  
  型号：STD40N2LH5
  仓库库存编号：497-10018-1-ND
  别名：497-10018-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 48A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD70N2LH5
  仓库库存编号：497-10094-1-ND
  别名：497-10094-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 27A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU27N3LH5
  仓库库存编号：STU27N3LH5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 40A（Tc） 35W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU40N2LH5
  仓库库存编号：STU40N2LH5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15A（Tc） 3W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS15N4LLF5
  仓库库存编号：497-10579-1-ND
  别名：497-10579-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS20N3LLH6
  仓库库存编号：497-10580-1-ND
  别名：497-10580-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL17N3LLH6
  仓库库存编号：497-10880-1-ND
  别名：497-10880-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL80N3LLH6
  仓库库存编号：497-11100-1-ND
  别名：497-11100-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL75N3LLZH5
  仓库库存编号：497-11221-1-ND
  别名：497-11221-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Tc） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS19N3LLH6
  仓库库存编号：497-12677-1-ND
  别名：497-12677-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 100W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB70NF03L-1
  仓库库存编号：STB70NF03L-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP130NH02L
  仓库库存编号：STP130NH02L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.02A（Tc） 560mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF280UN,115
  仓库库存编号：568-7413-1-ND
  别名：568-7413-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 520mW（Ta），8.3W（Tc） DFN2020-6
  
  型号：PMFPB6545UP,115
  仓库库存编号：568-6532-1-ND
  别名：568-6532-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 520mW（Ta），8.3W（Tc） DFN2020-6
  
  型号：PMFPB6532UP,115
  仓库库存编号：568-6531-1-ND
  别名：568-6531-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.5A 520mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB65UP,115
  仓库库存编号：568-6496-1-ND
  别名：568-6496-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4410DY,518
  仓库库存编号：SI4410DY,518-ND
  别名：934056382518
  SI4410DY /T3
  SI4410DY /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXMN3A02X8TA
  仓库库存编号：ZXMN3A02X8CT-ND
  别名：ZXMN3A02X8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.3A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMN3A02N8TA
  仓库库存编号：ZXMN3A02N8CT-ND
  别名：ZXMN3A02N8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 830mA（Ta） 560mW（Tc） SOT-323-3
  
  型号：PMF400UN,115
  仓库库存编号：568-3244-1-ND
  别名：568-3244-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA,
• 
  
  无铅
• 搜索