产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002K-T1-GE3
仓库库存编号:
2N7002K-T1-GE3CT-ND
别名:2N7002K-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 1.7W(Tc) SOT-23-3
型号:
SI2347DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2347DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2347DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V SOT363
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 700mA, 500mA 340mW Surface Mount SOT-363
型号:
SI1539CDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1539CDL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1539CDL-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6
型号:
SI1026X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1026X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1026X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.6A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) TO-236
型号:
SI2369DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2369DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2369DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
详细描述:表面贴装 N 沟道 330mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1022R-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1022R-T1-GE3CT-ND
别名:SI1022R-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 40V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2318AES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2318AES-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 1.3W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23
型号:
SI2338DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2338DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2338DS-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.7A(Tc) 2W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2309ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2309ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2309ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 2W(Tc) SOT-23(TO-236AB)
型号:
SQ2308CES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2308CES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.9A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2343CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2343CDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002E-T1-E3
仓库库存编号:
2N7002E-T1-E3CT-ND
别名:2N7002E-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.2W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS412DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS412DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS412DN-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS413DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS413DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS413DN-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Ta) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4128DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4128DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4128DY-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD09P10-195-GE3
仓库库存编号:
SUD09P10-195-GE3CT-ND
别名:SUD09P10-195-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 14.9A(Tc) 2.7W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4825DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4825DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4825DDY-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16A
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 62.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS401EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS401EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS401EN-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR424DP-T1-GE3
仓库库存编号:
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别名:SIR424DP-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS410DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS410DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS410DN-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7625DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7625DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7625DN-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR422DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR422DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR422DP-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7101DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7101DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7101DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 45A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 45A(Tc) 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD45P03-09-GE3
仓库库存编号:
SUD45P03-09-GE3CT-ND
别名:SUD45P03-09-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 29A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4459ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4459ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4459ADY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA,
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