产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD32N06L
仓库库存编号:
NTD32N06L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) I-Pak
型号:
NTD32N06L-1G
仓库库存编号:
NTD32N06L-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK
型号:
NTD32N06LG
仓库库存编号:
NTD32N06LG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75637S3_NR4895
仓库库存编号:
HUF75637S3_NR4895-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 71W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N04-10A-E3
仓库库存编号:
SUD40N04-10A-E3CT-ND
别名:SUD40N04-10A-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJL5014DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJL5014DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2905
仓库库存编号:
IRLU2905-ND
别名:*IRLU2905
Q853121
SP001553032
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ44NSTRR
仓库库存编号:
IRLZ44NSTRR-ND
别名:SP001574180
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44NL
仓库库存编号:
IRLZ44NL-ND
别名:*IRLZ44NL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905TRL
仓库库存编号:
IRLR2905TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905TRR
仓库库存编号:
IRLR2905TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 47A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ44NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ44NLPBF-ND
别名:*IRLZ44NLPBF
SP001577060
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 35A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 110V 35A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP34NQ11T,127
仓库库存编号:
PHP34NQ11T,127-ND
别名:934058503127
PHP34NQ11T
PHP34NQ11T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 24.8A SOT186A
详细描述:通孔 N 沟道 110V 24.8A(Tc) 56.8W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX34NQ11T,127
仓库库存编号:
PHX34NQ11T,127-ND
别名:934058495127
PHX34NQ11T
PHX34NQ11T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 40A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9528-55A,127
仓库库存编号:
BUK9528-55A,127-ND
别名:934056256127
BUK9528-55A
BUK9528-55A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7416QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7416QTRPBFCT-ND
别名:IRF7416QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
无铅
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MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR2905
仓库库存编号:
AUIRLR2905-ND
别名:SP001516026
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V,
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