产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N100L
仓库库存编号：
IXTH12N100L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH24N50L
仓库库存编号：
IXTH24N50L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT20N50D
仓库库存编号：
IXTT20N50D-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB47N10SL-26
仓库库存编号：
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名：IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI47N10S33AKSA1
仓库库存编号：
IPI47N10S33AKSA1-ND
别名：IPI47N10S-33
IPI47N10S-33-ND
SP000225703
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI47N10SL26AKSA1
仓库库存编号：
IPI47N10SL26AKSA1-ND
别名：IPI47N10SL-26
IPI47N10SL-26-ND
SP000225704
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 40A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW40N20
仓库库存编号：
497-4427-5-ND
别名：497-4427-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 40A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40N20
仓库库存编号：
497-4380-5-ND
别名：497-4380-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 40A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB40N20
仓库库存编号：
497-4765-1-ND
别名：497-4765-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 40A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF40N20
仓库库存编号：
497-5006-5-ND
别名：497-5006-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33V 80A（Tc） 215W（Tc） D2PAK
型号：
STB85NS04Z
仓库库存编号：
497-7954-1-ND
别名：497-7954-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ44G
仓库库存编号：
IRFIZ44G-ND
别名：*IRFIZ44G
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 60V 57A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP044PBF
仓库库存编号：
IRFP044PBF-ND
别名：*IRFP044PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220-5
型号：
IRCZ44PBF
仓库库存编号：
IRCZ44PBF-ND
别名：*IRCZ44PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV18N60P
仓库库存编号：
IXTV18N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV18N60PS
仓库库存编号：
IXTV18N60PS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 125W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC14N60P
仓库库存编号：
IXFC14N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV18N60P
仓库库存编号：
IXFV18N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 360W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV18N60PS
仓库库存编号：
IXFV18N60PS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 90A（Tc） 176W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA90N055T
仓库库存编号：
IXTA90N055T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 176W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP90N055T
仓库库存编号：
IXTP90N055T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB47N10
仓库库存编号：
SPB47N10-ND
别名：SP000012327
SPB47N10T
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB47N10L
仓库库存编号：
SPB47N10L-ND
别名：SP000012078
SPB47N10LT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI47N10
仓库库存编号：
SPI47N10-ND
别名：SP000013951
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI47N10L
仓库库存编号：
SPI47N10L-ND
别名：SP000013952
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 25V,
含铅
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