产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.6A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB812PBF
仓库库存编号：
IRFB812PBF-ND
别名：SP001563948
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC30
仓库库存编号：
IRFBC30-ND
别名：*IRFBC30
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPF30
仓库库存编号：
IRFPF30-ND
别名：*IRFPF30
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC30A
仓库库存编号：
IRFBC30A-ND
别名：*IRFBC30A
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30AS
仓库库存编号：
IRFBC30AS-ND
别名：*IRFBC30AS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30S
仓库库存编号：
IRFBC30S-ND
别名：*IRFBC30S
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220
仓库库存编号：
IRFR9220-ND
别名：*IRFR9220
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TR
仓库库存编号：
IRFR9220TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9220
仓库库存编号：
IRFU9220-ND
别名：*IRFU9220
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC30L
仓库库存编号：
IRFBC30L-ND
别名：*IRFBC30L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC30AL
仓库库存编号：
IRFBC30AL-ND
别名：*IRFBC30AL
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASTRL
仓库库存编号：
IRFBC30ASTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASTRR
仓库库存编号：
IRFBC30ASTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30STRL
仓库库存编号：
IRFBC30STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30STRR
仓库库存编号：
IRFBC30STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF30L
仓库库存编号：
IRFBF30L-ND
别名：*IRFBF30L
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30S
仓库库存编号：
IRFBF30S-ND
别名：*IRFBF30S
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30STRL
仓库库存编号：
IRFBF30STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30STRR
仓库库存编号：
IRFBF30STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TRL
仓库库存编号：
IRFR9220TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9220TRR
仓库库存编号：
IRFR9220TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFBC30LPBF
仓库库存编号：
IRFBC30LPBF-ND
别名：*IRFBC30LPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF30SPBF
仓库库存编号：
IRFBF30SPBF-ND
别名：*IRFBF30SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 250V 3.6A（Tc） 52W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP4N25
仓库库存编号：
FQP4N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP4N20
仓库库存编号：
FQP4N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.6A（Tc）,
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