产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 39A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT6013JLL
仓库库存编号:
APT6013JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 39A(Tc) 694W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN39N90
仓库库存编号:
IXFN39N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 39A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFZ46NL
仓库库存编号:
AUIRFZ46NL-ND
别名:SP001521774
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3302L
仓库库存编号:
IRL3302L-ND
别名:*IRL3302L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76633P3
仓库库存编号:
HUF76633P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76633S3S
仓库库存编号:
HUF76633S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76633P3
仓库库存编号:
HUFA76633P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76633S3ST
仓库库存编号:
HUF76633S3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76633S3S
仓库库存编号:
HUFA76633S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 39A(Tc) 145W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76633S3ST
仓库库存编号:
HUFA76633S3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 39A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 39A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9540-100A,127
仓库库存编号:
568-9729-5-ND
别名:568-9729-5
934056024127
BUK9540-100A
BUK9540-100A,127-ND
BUK9540-100A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 39A(Tc) 30W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN010-25YLC,115
仓库库存编号:
568-8525-1-ND
别名:568-8525-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302
仓库库存编号:
IRL3302-ND
别名:*IRL3302
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302S
仓库库存编号:
IRL3302S-ND
别名:*IRL3302S
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRL
仓库库存编号:
IRL3302STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRR
仓库库存编号:
IRL3302STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 39A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48VPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48VPBF-ND
别名:*IRFIZ48VPBF
SP001556666
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302SPBF
仓库库存编号:
IRL3302SPBF-ND
别名:*IRL3302SPBF
SP001552554
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302PBF
仓库库存编号:
IRL3302PBF-ND
别名:*IRL3302PBF
SP001568274
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRLPBF
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IRL3302STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 39A(Tc),
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