产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R6-40C,127
仓库库存编号:
568-7493-5-ND
别名:568-7493-5
934064249127
BUK652R6-40C,127-ND
BUK652R640C127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R3-40C,127
仓库库存编号:
568-7492-5-ND
别名:568-7492-5
934064467127
BUK652R3-40C,127-ND
BUK652R340C127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R1-30C,127
仓库库存编号:
568-7491-5-ND
别名:568-7491-5
934064241127
BUK652R1-30C,127-ND
BUK652R130C127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK652R0-30C,127
仓库库存编号:
568-7490-5-ND
别名:568-7490-5
934064466127
BUK652R0-30C,127-ND
BUK652R030C127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R3-30E,118
仓库库存编号:
568-9564-1-ND
别名:568-9564-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R4-30E,118
仓库库存编号:
568-9568-1-ND
别名:568-9568-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R4-30E,118
仓库库存编号:
568-10169-1-ND
别名:568-10169-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
不受无铅要求限制
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R5-30E,118
仓库库存编号:
568-10172-1-ND
别名:568-10172-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
不受无铅要求限制
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R7-40E,118
仓库库存编号:
568-10248-1-ND
别名:568-10248-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R1-40E,118
仓库库存编号:
568-10249-1-ND
别名:568-10249-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R2-55C,127
仓库库存编号:
568-7495-5-ND
别名:568-7495-5
934064468127
BUK653R2-55C,127-ND
BUK653R255C127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R5-55C,127
仓库库存编号:
568-7497-5-ND
别名:568-7497-5
934064238127
BUK653R5-55C,127-ND
BUK653R555C127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 306W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK654R0-75C,127
仓库库存编号:
568-7499-5-ND
别名:568-7499-5
934064237127
BUK654R0-75C,127-ND
BUK654R075C127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK655R0-75C,127
仓库库存编号:
568-7502-5-ND
别名:568-7502-5
934064245127
BUK655R0-75C,127-ND
BUK655R075C127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK751R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9837-5-ND
别名:568-9837-5
934066478127
BUK751R630E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK752R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9840-5-ND
别名:568-9840-5
934066481127
BUK752R760E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R5-60E,127
仓库库存编号:
568-9842-5-ND
别名:568-9842-5
934066643127
BUK753R560E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E1R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9848-5-ND
别名:568-9848-5
934066509127
BUK7E1R630E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R0-80E,127
仓库库存编号:
568-9854-5-ND
别名:568-9854-5
934066516127
BUK7E4R080E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R6-30E,127
仓库库存编号:
568-9859-5-ND
别名:568-9859-5
934066519127
BUK951R630E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK951R9-40E,127
仓库库存编号:
568-9860-5-ND
别名:568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 293W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R3-40E,127
仓库库存编号:
568-9861-5-ND
别名:568-9861-5
934066419127
BUK952R340E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK952R8-60E,127
仓库库存编号:
568-9862-5-ND
别名:568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK954R4-80E,127
仓库库存编号:
568-9865-5-ND
别名:568-9865-5
934066523127
BUK954R480E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK956R1-100E,127
仓库库存编号:
568-9866-5-ND
别名:568-9866-5
934066524127
BUK956R1100E127
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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