产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB(IXFP)
型号:
IXFP60N25X3M
仓库库存编号:
IXFP60N25X3M-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 320W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA60N25X3
仓库库存编号:
IXFA60N25X3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 320W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N25X3
仓库库存编号:
IXFQ60N25X3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH1R712MD,L1Q
仓库库存编号:
TPH1R712MDL1QCT-ND
别名:TPH1R712MDL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 60V 60A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 150W(Tj) Power56
型号:
FDWS5360L_F085
仓库库存编号:
FDWS5360L_F085CT-ND
别名:FDWS5360L_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPA057N08N3 G
IPA057N08N3 G-ND
IPA057N08N3G
SP000454442
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB60NF06LT4
仓库库存编号:
497-6554-1-ND
别名:497-6554-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR440DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR440DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR440DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE874DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE874DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE874DF-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE726DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE726DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE726DF-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-268
型号:
IXFT60N50P3
仓库库存编号:
IXFT60N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ60N20L2
仓库库存编号:
IXTQ60N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N20L2
仓库库存编号:
IXTH60N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT60N20L2
仓库库存编号:
IXTT60N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 560W(Tc) MAX247?
型号:
STY60NM50
仓库库存编号:
497-2775-5-ND
别名:497-2775-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7157DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7157DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7157DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD60NF55LT4
仓库库存编号:
497-15669-1-ND
别名:497-15669-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR662DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR662DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPCT
SIR662DPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR870DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR870DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR870DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR826ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR826ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NF06
仓库库存编号:
497-2779-5-ND
别名:497-2779-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3
型号:
C2M0040120D
仓库库存编号:
C2M0040120D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7633DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7633DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7633DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR476DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR476DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR476DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA26DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA26DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIRA26DP-T1-RE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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