产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(100)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(1)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(99)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (5)
Diodes Incorporated (3)
Global Power Technologies Group (6)
Infineon Technologies (4)
IXYS (1)
Microsemi Corporation (8)
NXP USA Inc. (3)
Fairchild/ON Semiconductor (8)
ON Semiconductor (1)
Panasonic Electronic Components (2)
STMicroelectronics (27)
Taiwan Semiconductor Corporation (9)
Vishay Siliconix (23)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.5A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R2K4P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R2K4P7AKMA1-ND
别名:SP001644624
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMN90H8D5HCT
仓库库存编号:
DMN90H8D5HCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMN95H8D5HCT
仓库库存编号:
DMN95H8D5HCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820STRLPBF
仓库库存编号:
IRF820STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820STRRPBF
仓库库存编号:
IRF820STRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 110W(Tc) TO-247
型号:
IXTJ4N150
仓库库存编号:
IXTJ4N150-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.5A(Tc) 2W(Tc) 8-SO
型号:
STS2DPFS20V
仓库库存编号:
497-3225-1-ND
别名:497-3225-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.5A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN3PF06
仓库库存编号:
497-4116-1-ND
别名:497-4116-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220FH
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
STFV3N150
仓库库存编号:
497-6319-5-ND
别名:497-6319-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 2.5A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP3NK100Z
仓库库存编号:
497-7524-5-ND
别名:497-7524-5
STP3NK100Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 620V 2.5A(Tc) 45W(Tc) TO-220
型号:
STP3LN62K3
仓库库存编号:
497-11231-5-ND
别名:497-11231-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 2.5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF3LN62K3
仓库库存编号:
497-12577-5-ND
别名:497-12577-5
STF3LN62K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5A(Tc) 830mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV117EN,215
仓库库存编号:
568-8111-1-ND
别名:568-8111-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.5A(Tc) 830mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
SI2302DS,215
仓库库存编号:
568-5956-1-ND
别名:568-5956-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820
仓库库存编号:
IRF820IR-ND
别名:*IRF820
IRF820IR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820S
仓库库存编号:
IRF820S-ND
别名:*IRF820S
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBC30G
仓库库存编号:
IRFIBC30G-ND
别名:*IRFIBC30G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820AS
仓库库存编号:
IRF820AS-ND
别名:*IRF820AS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820A
仓库库存编号:
IRF820A-ND
别名:*IRF820A
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) I2PAK
型号:
IRF820AL
仓库库存编号:
IRF820AL-ND
别名:*IRF820AL
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820ASTRL
仓库库存编号:
IRF820ASTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820ASTRR
仓库库存编号:
IRF820ASTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) I2PAK
型号:
IRF820L
仓库库存编号:
IRF820L-ND
别名:*IRF820L
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820STRL
仓库库存编号:
IRF820STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF820STRR
仓库库存编号:
IRF820STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc),
含铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号