以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP16N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP16N50C3HKSA1-ND
  别名：SPP16N50C3
  SPP16N50C3IN
  SPP16N50C3IN-ND
  SPP16N50C3X
  SPP16N50C3XK
  SPP16N50C3XTIN
  SPP16N50C3XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 16A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：64-4051
  仓库库存编号：64-4051-ND
  别名：*IRLR024Z
  IRLR024Z
  IRLR024Z-ND
  SP001517034
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640,127
  仓库库存编号：568-1161-5-ND
  别名：568-1161-5
  934055545127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DPBF
  仓库库存编号：IRFS17N20DPBF-ND
  别名：*IRFS17N20DPBF
  SP001567586
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 16A（Tc） 35W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU024ZPBF
  仓库库存编号：IRLU024ZPBF-ND
  别名：*IRLU024ZPBF
  SP001552964
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL17N20DPBF
  仓库库存编号：IRFSL17N20DPBF-ND
  别名：*IRFSL17N20DPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 32.6W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD16N03LT,118
  仓库库存编号：PHD16N03LT,118-ND
  别名：934057927118
  PHD16N03LT /T3
  PHD16N03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 110V 16A SOT186A
  详细描述：通孔 N 沟道 110V 16A（Tc） 41.6W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX23NQ11T,127
  仓库库存编号：PHX23NQ11T,127-ND
  别名：934058493127
  PHX23NQ11T
  PHX23NQ11T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 16A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI16N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI16N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014470
  SP000681004
  SPI16N50C3
  SPI16N50C3-ND
  SPI16N50C3IN
  SPI16N50C3IN-ND
  SPI16N50C3X
  SPI16N50C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD800N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD800N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD800N06NG
  IPD800N06NGINCT
  IPD800N06NGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910CPBF
  仓库库存编号：IRFR3910CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRRP
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRRP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS17N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS17N20DTRLP-ND
  别名：SP001578336
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 16A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024ZTRPBF
  仓库库存编号：IRLR024ZTRPBFCT-ND
  别名：IRLR024ZTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
• 无铅
• 搜索