产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Sanken
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
型号：
EKI04047
仓库库存编号：
EKI04047-ND
别名：EKI04047 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 3.2W PowerDI5060-8
型号：
DMPH1006UPS-13
仓库库存编号：
DMPH1006UPS-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.8W PowerDI5060-8
型号：
DMNH4005SPSQ-13
仓库库存编号：
DMNH4005SPSQ-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Sanken
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 90W（Tc） TO-263
型号：
SKI03036
仓库库存编号：
SKI03036CT-ND
别名：SKI03036CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 90W（Tc） TO-263
型号：
SKI04044
仓库库存编号：
SKI04044CT-ND
别名：SKI04044CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 3.2W PowerDI5060-8
型号：
DMPH1006UPSQ-13
仓库库存编号：
DMPH1006UPSQ-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Sanken
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 116W（Tc） TO-263
型号：
SKI04033
仓库库存编号：
SKI04033CT-ND
别名：SKI04033CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 33V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 33V 80A（Tc） 115W（Tc） TO-220
型号：
AOT500
仓库库存编号：
AOT500-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 214W（Tj） 8-PQFN（5x6）
型号：
FDWS9408_F085
仓库库存编号：
FDWS9408_F085-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 103W（Tc） TO-220
型号：
TK46E08N1,S1X
仓库库存编号：
TK46E08N1S1X-ND
别名：TK46E08N1,S1X(S
TK46E08N1S1X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8860
仓库库存编号：
FDB8860CT-ND
别名：FDB8860CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 325W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA80N12T2
仓库库存编号：
IXTA80N12T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
型号：
STD95NH02LT4
仓库库存编号：
497-4105-1-ND
别名：497-4105-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP038AN06A0_F102
仓库库存编号：
FDP038AN06A0_F102-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
IXTH80N075L2
仓库库存编号：
IXTH80N075L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 520W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH80N20L
仓库库存编号：
IXTH80N20L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 250V 80A（Tc） 540W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK80N25
仓库库存编号：
IXTK80N25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N15Q
仓库库存编号：
IXFH80N15Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N20
仓库库存编号：
IXFK80N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N20Q
仓库库存编号：
IXFK80N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N15Q
仓库库存编号：
IXFK80N15Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N08
仓库库存编号：
IXFT80N08-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N10Q
仓库库存编号：
IXFT80N10Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 80A（Tc） 520W（Tc） TO-268
型号：
IXTT80N20L
仓库库存编号：
IXTT80N20L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N20Q
仓库库存编号：
IXFH80N20Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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