产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD100N3LF3
仓库库存编号：
497-16197-1-ND
别名：497-16197-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tc） Power56
型号：
FDMS86368_F085
仓库库存编号：
FDMS86368_F085CT-ND
别名：FDMS86368_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD65N55LF3
仓库库存编号：
497-10877-1-ND
别名：497-10877-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP052N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP052N08N5AKSA1-ND
别名：SP001227050
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF55-08T4
仓库库存编号：
497-3737-1-ND
别名：497-3737-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB95N4F3
仓库库存编号：
497-12427-1-ND
别名：497-12427-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD95N04
仓库库存编号：
497-5106-1-ND
别名：497-5106-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB155N3H6
仓库库存编号：
497-11322-1-ND
别名：497-11322-1
497-11322-5
497-11322-5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 255W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP3651U
仓库库存编号：
FDP3651U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH140N6F7-2
仓库库存编号：
497-16314-1-ND
别名：497-16314-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF10T4
仓库库存编号：
497-2489-1-ND
别名：497-2489-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD120N4LF6
仓库库存编号：
497-11097-1-ND
别名：497-11097-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD120N4F6
仓库库存编号：
497-10781-1-ND
别名：497-10781-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB75NF75T4
仓库库存编号：
497-15666-1-ND
别名：497-15666-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8160_F085
仓库库存编号：
FDB8160_F085CT-ND
别名：FDB8160_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB80NF03L-04T4
仓库库存编号：
497-7952-1-ND
别名：497-7952-1
STB80NF03L04T4
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 357W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP80N075L2
仓库库存编号：
IXTP80N075L2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH80N25X3
仓库库存编号：
IXFH80N25X3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N10Q
仓库库存编号：
IXFH80N10Q-ND
别名：IXFH80N10
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK80N50Q3
仓库库存编号：
IXFK80N50Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB034N03L G
仓库库存编号：
IPB034N03LGINCT-ND
别名：IPB034N03LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号：
IPP80N06S2L-07-ND
别名：IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3607TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3607TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3607TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S209ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S209ATMA2CT-ND
别名：IPB80N06S209ATMA2CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名：SP001067894
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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