产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
STB150N3LH6
仓库库存编号：
497-13263-1-ND
别名：497-13263-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STU95N2LH5
仓库库存编号：
497-12703-5-ND
别名：497-12703-5
STU95N2LH5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220
型号：
STP105N3LL
仓库库存编号：
497-13587-5-ND
别名：497-13587-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 87W（Tc） TO-220
型号：
TK4R3E06PL,S1X
仓库库存编号：
TK4R3E06PLS1X-ND
别名：TK4R3E06PL,S1X(S
TK4R3E06PLS1X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP120N4F6
仓库库存编号：
497-10962-5-ND
别名：497-10962-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP95N4F3
仓库库存编号：
497-7536-5-ND
别名：497-7536-5
STP95N4F3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP141NF55
仓库库存编号：
497-7023-5-ND
别名：497-7023-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STI76NF75
仓库库存编号：
497-12266-ND
别名：497-12266
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STB60NF10-1
仓库库存编号：
497-6185-5-ND
别名：497-6185-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP150N3LLH6
仓库库存编号：
497-9097-5-ND
别名：497-9097-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
STP150NF04
仓库库存编号：
497-10075-5-ND
别名：497-10075-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 890W（Tc） TO-247
型号：
IXTH80N65X2
仓库库存编号：
IXTH80N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S404ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S404ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S404ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S403ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S403ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2H5ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND
别名：IPB80N06S2H5ATMA2CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP041N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP041N04NGXKSA1-ND
别名：IPP041N04N G
IPP041N04N G-ND
IPP041N04NG
SP000680790
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 116W（Tc） TO-220-3
型号：
EKI04036
仓库库存编号：
EKI04036-ND
别名：EKI04036 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP057N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP057N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP057N06N3 G
IPP057N06N3 G-ND
IPP057N06N3G
SP000680808
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S209AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S209AKSA2-ND
别名：SP001061400
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S403AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S403AKSA1-ND
别名：IPI80N04S4-03
IPI80N04S4-03-ND
SP000671634
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP034N03LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP034N03LGXKSA1-ND
别名：IPP034N03L G
IPP034N03LGIN
IPP034N03LGIN-ND
IPP034N03LGXK
SP000680772
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 80V 80A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
型号：
FDWS86368_F085
仓库库存编号：
FDWS86368_F085CT-ND
别名：FDWS86368_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI086N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI086N10N3GXKSA1-ND
别名：IPI086N10N3 G
IPI086N10N3 G-ND
IPI086N10N3G
SP000485982
SP000683070
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB9409_F085
仓库库存编号：
FDB9409_F085CT-ND
别名：FDB9409_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP057N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP057N08N3GXKSA1-ND
别名：IPP057N08N3 G
IPP057N08N3 G-ND
IPP057N08N3G
SP000680810
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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