产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(566)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(566)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
Diodes Incorporated(5)
Fairchild/ON Semiconductor(22)
Infineon Technologies(311)
IXYS(43)
Microsemi Corporation(2)
NXP USA Inc.(3)
ON Semiconductor(9)
Renesas Electronics America(10)
Sanken(5)
STMicroelectronics(139)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(5)
Vishay Siliconix(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7
型号:
BTS282ZE3230AKSA2
仓库库存编号:
BTS282ZE3230AKSA2-ND
别名:SP000969786
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 357W(Tc) TO-263AA
型号:
IXTA80N075L2
仓库库存编号:
IXTA80N075L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX80N50P
仓库库存编号:
IXFX80N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N06N3 G
仓库库存编号:
IPB054N06N3 GCT-ND
别名:IPB054N06N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3-03
仓库库存编号:
IPB80N04S303ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-03CT
IPB80N04S3-03CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP75NS04Z
仓库库存编号:
497-5981-5-ND
别名:497-5981-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP100N10F7
仓库库存编号:
497-13550-5-ND
别名:497-13550-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF55-06
仓库库存编号:
497-2774-5-ND
别名:497-2774-5
STP80NF5506
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 268W(Tc) TO-220
型号:
AOT430
仓库库存编号:
785-1145-5-ND
别名:785-1145-1
785-1145-1-ND
785-1145-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU85N3LH5
仓库库存编号:
497-12702-5-ND
别名:497-12702-5
STU85N3LH5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP80N10F7
仓库库存编号:
497-14834-5-ND
别名:497-14834-5
STP80N10F7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF12
仓库库存编号:
497-6743-5-ND
别名:497-6743-5
STP80NF12-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP039N04LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP039N04LGXKSA1-ND
别名:IPP039N04L G
IPP039N04L G-ND
IPP039N04LG
SP000680782
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L-03
仓库库存编号:
IPP80N03S4L-03-ND
别名:IPP80N03S4L03
IPP80N03S4L03AKSA1
SP000275328
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3607PBF
仓库库存编号:
IRFB3607PBF-ND
别名:64-0093PBF
64-0093PBF-ND
SP001551746
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP072N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP072N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP072N10N3 G
IPP072N10N3 G-ND
IPP072N10N3G
SP000680830
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP130N6F7
仓库库存编号:
497-15889-5-ND
别名:497-15889-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 254W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8860
仓库库存编号:
FDP8860-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA80N10T
仓库库存编号:
IXTA80N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP85NF55
仓库库存编号:
497-6744-5-ND
别名:497-6744-5
STP85NF55-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 1300W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX80N60P3
仓库库存编号:
IXFX80N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 170W(Tc) TO-220
型号:
STP110N8F7
仓库库存编号:
497-16486-5-ND
别名:497-16486-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 260W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF8010PBF
仓库库存编号:
IRF8010PBF-ND
别名:*IRF8010PBF
SP001575444
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N08S2L07AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N08S2L07AKSA1-ND
别名:IPP80N08S2L-07
IPP80N08S2L-07-ND
IPP80N08S2L07
SP000219050
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB76NF75
仓库库存编号:
497-12538-1-ND
别名:497-12538-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号