产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P03P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P03P4L04AKSA1-ND
别名：IPP80P03P4L-04
IPP80P03P4L-04-ND
SP000396390
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP052NE7N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP052NE7N3GXKSA1-ND
别名：IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 960W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB80N50Q2
仓库库存编号：
IXFB80N50Q2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB067N08N3 G
仓库库存编号：
IPB067N08N3 GCT-ND
别名：IPB067N08N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB049NE7N3 G
仓库库存编号：
IPB049NE7N3 GCT-ND
别名：IPB049NE7N3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STB80NF55-06-1
仓库库存编号：
497-16196-5-ND
别名：497-16196-5
STB80NF55-06-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 74W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM055N03EPQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM055N03EPQ56 RLGTR-ND
别名：TSM055N03EPQ56 RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 74W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM055N03EPQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM055N03EPQ56 RLGCT-ND
别名：TSM055N03EPQ56 RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 74W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM055N03EPQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM055N03EPQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM055N03EPQ56 RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N03S4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND
别名：IPB80N03S4L-03CT
IPB80N03S4L-03CT-ND
IPB80N03S4L03ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 80A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMNH6012LK3Q-13
仓库库存编号：
DMNH6012LK3Q-13DICT-ND
别名：DMNH6012LK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN1R603PL,L1Q
仓库库存编号：
TPN1R603PLL1QCT-ND
别名：TPN1R603PLL1QCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ438DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ438DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ438DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3607PBF
仓库库存编号：
IRFSL3607PBF-ND
别名：SP001565218
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 40V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） TO-251
型号：
STU80N4F6
仓库库存编号：
497-13657-5-ND
别名：497-13657-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB85NF55LT4
仓库库存编号：
497-5732-1-ND
别名：497-5732-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
型号：
STU150N3LLH6
仓库库存编号：
497-12693-5-ND
别名：497-12693-5
STU150N3LLH6-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
型号：
STU60N55F3
仓库库存编号：
497-12698-5-ND
别名：497-12698-5
STU60N55F3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STB80NF55L-08-1
仓库库存编号：
497-12542-5-ND
别名：497-12542-5
STB80NF55L-08-1-ND
STB80NF55L081
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STB80NF03L-04-1
仓库库存编号：
497-12540-5-ND
别名：497-12540-5
STB80NF03L-04-1-ND
STB80NF03L041
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP76NF75
仓库库存编号：
497-12619-5-ND
别名：497-12619-5
STP76NF75-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 41.7W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI260N6F6
仓库库存编号：
497-14194-5-ND
别名：497-14194-5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
型号：
FDMS86568_F085
仓库库存编号：
FDMS86568_F085CT-ND
别名：FDMS86568_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 134W（Tc） DPAK
型号：
STD140N6F7
仓库库存编号：
497-16937-1-ND
别名：497-16937-1
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
型号：
FDMS9408_F085
仓库库存编号：
FDMS9408_F085CT-ND
别名：FDMS9408_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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