产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(566)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(566)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
Diodes Incorporated(5)
Fairchild/ON Semiconductor(22)
Infineon Technologies(311)
IXYS(43)
Microsemi Corporation(2)
NXP USA Inc.(3)
ON Semiconductor(9)
Renesas Electronics America(10)
Sanken(5)
STMicroelectronics(139)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(5)
Vishay Siliconix(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号：
SPB80N06S2L-H5-ND
别名：SP000013796
SPB80N06S2LH5T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N08S2-07
仓库库存编号：
SPB80N08S2-07-ND
别名：SP000016355
SPB80N08S207T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号：
SPB80N08S2L-07-ND
别名：SP000016359
SPB80N08S2L07T
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N10L
仓库库存编号：
SPB80N10L-ND
别名：SP000014350
SPB80N10LT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80P06P
仓库库存编号：
SPB80P06P-ND
别名：SP000012841
SPB80P06PT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2-03
仓库库存编号：
SPI80N03S2-03-ND
别名：SP000016262
SPI80N03S203X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-03-ND
别名：SP000016261
SPI80N03S2L03X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-04
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-04-ND
别名：SP000013903
SPI80N03S2L04X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-05
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-05-ND
别名：SP000016266
SPI80N03S2L05X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-06-ND
别名：SP000016265
SPI80N03S2L06X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N04S2-04
仓库库存编号：
SPI80N04S2-04-ND
别名：SP000015085
SPI80N04S204
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S-08
仓库库存编号：
SPI80N06S-08-ND
别名：SP000054055
SP000084809
SPI80N06S08
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-07
仓库库存编号：
SPI80N06S2-07-ND
别名：SP000013784
SPI80N06S207
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2-08
仓库库存编号：
SPI80N06S2-08-ND
别名：SP000013911
SPI80N06S208
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPI80N06S2L-05-ND
别名：SP000016360
SPI80N06S2L05
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N06S2L-11
仓库库存编号：
SPI80N06S2L-11-ND
别名：SP000029960
SPI80N06S2L11
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N08S2-07
仓库库存编号：
SPI80N08S2-07-ND
别名：SP000013954
SPI80N08S207
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N08S2-07R
仓库库存编号：
SPI80N08S2-07R-ND
别名：SP000013717
SPI80N08S207R
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N10L
仓库库存编号：
SPI80N10L-ND
别名：SP000014351
SPI80N10LX
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP77N06S2-12
仓库库存编号：
SPP77N06S2-12-ND
别名：SP000013588
SPP77N06S212
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2-03
仓库库存编号：
SPP80N03S2-03-ND
别名：SP000012468
SPP80N03S203X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPP80N03S2L-03-ND
别名：SP000012469
SPP80N03S2L03X
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L04AKSA1
仓库库存编号：
SPP80N03S2L04AKSA1-ND
别名：SPP80N03S2L-04
SPP80N03S2L-04-ND
SPP80N03S2L04X
SPP80N03S2L04XK
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2-04
仓库库存编号：
SPP80N04S2-04-ND
别名：SP000012470
SPP80N04S204
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2-H4
仓库库存编号：
SPP80N04S2-H4-ND
别名：SP000013150
SPP80N04S2H4
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
