产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB03N03LA
仓库库存编号：
IPB03N03LA-ND
别名：IPB03N03LAT
SP000014034
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB03N03LB
仓库库存编号：
IPB03N03LB-ND
别名：IPB03N03LBT
SP000074722
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB04N03LB
仓库库存编号：
IPB04N03LB-ND
别名：IPB04N03LBT
SP000064219
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB04N03LB G
仓库库存编号：
IPB04N03LB G-ND
别名：IPB04N03LBGXT
SP000103301
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB05N03LA G
仓库库存编号：
IPB05N03LA G-ND
别名：IPB05N03LAGXT
SP000068872
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB05N03LB
仓库库存编号：
IPB05N03LB-ND
别名：IPB05N03LBT
SP000065206
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB065N06L G
仓库库存编号：
IPB065N06L G-ND
别名：IPB063N06LGXT
IPB065N06LGXT
SP000204183
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3-07
仓库库存编号：
IPB80N06S3-07-ND
别名：IPB80N06S307XT
SP000088065
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI03N03LA
仓库库存编号：
IPI03N03LA-ND
别名：IPI03N03LAX
SP000014036
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI05N03LA
仓库库存编号：
IPI05N03LA-ND
别名：IPI05N03LAX
SP000014021
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S3-05
仓库库存编号：
IPI80N06S3-05IN-ND
别名：IPI80N06S3-05-ND
IPI80N06S3-05IN
IPI80N06S305X
IPI80N06S305XK
SP000102214
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S3-07
仓库库存编号：
IPI80N06S3-07IN-ND
别名：IPI80N06S3-07-ND
IPI80N06S3-07IN
IPI80N06S307X
IPI80N06S307XK
SP000088064
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S3L-05
仓库库存编号：
IPI80N06S3L-05IN-ND
别名：IPI80N06S3L-05-ND
IPI80N06S3L-05IN
IPI80N06S3L05X
IPI80N06S3L05XK
SP000102204
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S3L06XK
仓库库存编号：
IPI80N06S3L06XK-ND
别名：IPI80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06-ND
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L-06IN-ND
IPI80N06S3L06X
SP000088002
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 105W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S3L-08
仓库库存编号：
IPI80N06S3L-08IN-ND
别名：IPI80N06S3L-08-ND
IPI80N06S3L-08IN
IPI80N06S3L08X
IPI80N06S3L08XK
SP000088131
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP03N03LB G
仓库库存编号：
IPP03N03LBGIN-ND
别名：IPP03N03LB G-ND
IPP03N03LBGIN
IPP03N03LBGX
IPP03N03LBGXK
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SP000680786
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP04N03LB G
仓库库存编号：
IPP04N03LB G-ND
别名：IPP04N03LBGX
SP000064223
SP000680800
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP05N03LB G
仓库库存编号：
IPP05N03LBGIN-ND
别名：IPP05N03LB G-ND
IPP05N03LBGIN
IPP05N03LBGX
IPP05N03LBGXK
SP000065247
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP065N06LGAKSA1
仓库库存编号：
IPP065N06LGAKSA1-ND
别名：IPP065N06L G
IPP065N06L G-ND
IPP065N06LG
IPP065N06LGXK
SP000204182
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP070N06L G
仓库库存编号：
IPP070N06LGIN-ND
别名：IPP070N06L G-ND
IPP070N06LGIN
IPP070N06LGX
IPP070N06LGXK
SP000204171
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP070N06N G
仓库库存编号：
IPP070N06NGIN-ND
别名：IPP070N06N G-ND
IPP070N06NG
IPP070N06NGIN
IPP070N06NGXK
SP000204186
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP080N06N G
仓库库存编号：
IPP080N06N G-ND
别名：IPP080N06NGX
IPP080N06NGXK
SP000204173
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S3-05
仓库库存编号：
IPP80N06S3-05IN-ND
别名：IPP80N06S3-05-ND
IPP80N06S3-05IN
IPP80N06S305X
IPP80N06S305XK
SP000102213
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 135W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S3-07
仓库库存编号：
IPP80N06S3-07-ND
别名：IPP80N06S307X
IPP80N06S307XK
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产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S3L-05
仓库库存编号：
IPP80N06S3L-05IN-ND
别名：IPP80N06S3L-05-ND
IPP80N06S3L-05IN
IPP80N06S3L05X
IPP80N06S3L05XK
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