产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(566)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(566)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
Diodes Incorporated(5)
Fairchild/ON Semiconductor(22)
Infineon Technologies(311)
IXYS(43)
Microsemi Corporation(2)
NXP USA Inc.(3)
ON Semiconductor(9)
Renesas Electronics America(10)
Sanken(5)
STMicroelectronics(139)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(5)
Vishay Siliconix(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S405AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4-05
IPI80N06S4-05-ND
SP000415632
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S405AKSA1-ND
别名:IPP80N06S4-05
IPP80N06S4-05-ND
SP000415704
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S208ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S208ATMA2-ND
别名:SP001067884
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80P03P405AKSA1
仓库库存编号:
IPP80P03P405AKSA1-ND
别名:SP000396388
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P04P405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P04P405AKSA1-ND
别名:SP000652620
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S207ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S207ATMA4-ND
别名:SP001067870
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S207AKSA4
仓库库存编号:
IPP80N06S207AKSA4-ND
别名:SP001067876
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPD050N10N5ATMA1-ND
别名:SP001602184
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 40V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P04P4L04AKSA1-ND
别名:SP000840198
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S3H4AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-H4
IPI80N04S3-H4-ND
SP000415630
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S3H4AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S3H4AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-H4
IPP80N04S3-H4-ND
SP000415702
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80P03P4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P03P4L04AKSA1-ND
别名:IPI80P03P4L-04
IPI80P03P4L-04-ND
SP000396318
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L05AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N03S2L05AKSA1-ND
别名:SP000013466
SPP80N03S2L-05
SPP80N03S2L-05IN
SPP80N03S2L-05IN-ND
SPP80N03S2L05X
SPP80N03S2L05X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2H5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2H5AKSA2-ND
别名:SP001063646
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
别名:SP001063648
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S208AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S208AKSA2-ND
别名:SP001067886
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S208AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S208AKSA2-ND
别名:SP001067888
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2LH5ATMA4
仓库库存编号:
IPB80N06S2LH5ATMA4-ND
别名:SP001058126
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N08S207AKSA1-ND
别名:IPI80N08S2-07
IPI80N08S2-07-ND
SP000219043
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S207AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S207AKSA2-ND
别名:SP001067874
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB049N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB049N08N5ATMA1-ND
别名:SP001227052
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S406ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S406ATMA1-ND
别名:SP000984296
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 260W(Tc) D2PAK
型号:
IRF8010STRLPBF
仓库库存编号:
IRF8010STRLPBFCT-ND
别名:IRF8010STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB065N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB065N10N3GATMA1-ND
别名:SP001232588
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P03P405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P03P405AKSA1-ND
别名:SP000396316
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
搜索
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号