产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 32A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT31M100B2
仓库库存编号：
APT31M100B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N60
仓库库存编号：
IXFK32N60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR48N60Q3
仓库库存编号：
IXFR48N60Q3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
详细描述：底座安装 P 沟道 600V 32A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN32P60P
仓库库存编号：
IXTN32P60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 32A（Tc） 520AW（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N60
仓库库存编号：
IXFN32N60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 32A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N120P
仓库库存编号：
IXFN32N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH32N50
仓库库存编号：
IXFH32N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP32N50K
仓库库存编号：
IRFP32N50K-ND
别名：*IRFP32N50K
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
型号：
MTP36N06V
仓库库存编号：
MTP36N06VOS-ND
别名：MTP36N06VOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
型号：
MTW32N20E
仓库库存编号：
MTW32N20EOS-ND
别名：MTW32N20EOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 32A（Tc） 180W（Tc） TO-247
型号：
MTW32N20EG
仓库库存编号：
MTW32N20EGOS-ND
别名：MTW32N20EGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） TO-220
型号：
FDP5690
仓库库存编号：
FDP5690-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 120V 32A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF32N12V2
仓库库存编号：
FQPF32N12V2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120V 32A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP32N12V2
仓库库存编号：
FQP32N12V2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120V 32A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） I2PAK
型号：
FQI32N12V2TU
仓库库存编号：
FQI32N12V2TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 32A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB32N12V2TM
仓库库存编号：
FQB32N12V2TM-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 32A（Tc） 58W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB5690
仓库库存编号：
FDB5690CT-ND
别名：FDB5690CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH32N50Q
仓库库存编号：
IXFH32N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 32A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7186DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7186DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7186DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFJ32N50Q
仓库库存编号：
IXFJ32N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 32A（Tc） 100W（Tc） I-Pak
型号：
NTD6414AN-1G
仓库库存编号：
NTD6414AN-1GOS-ND
别名：NTD6414AN-1G-ND
NTD6414AN-1GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 32A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7186DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7186DP-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ400DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ400DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） DPAK
型号：
BUK9237-55,118
仓库库存编号：
BUK9237-55,118-ND
别名：934054956118
BUK9237-55 /T3
BUK9237-55 /T3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） 77W（Tc） DPAK
型号：
BUK9237-55A/C1,118
仓库库存编号：
BUK9237-55A/C1,118-ND
别名：934061634118
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
含铅
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