产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NTD6416ANLT4G
仓库库存编号:
NTD6416ANLT4GOSCT-ND
别名:NTD6416ANLT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 215W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP19N40
仓库库存编号:
FDP19N40-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20C
仓库库存编号:
FQP19N20C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF19N20C
仓库库存编号:
FQPF19N20C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 239W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA18N50
仓库库存编号:
FDA18N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N20CTM
仓库库存编号:
FQB19N20CTMCT-ND
别名:FQB19N20CTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 35W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF165N65S3L1
仓库库存编号:
FCPF165N65S3L1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NVD6416ANLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD6416ANLT4G-VF01-ND
别名:NVD6416ANLT4G
NVD6416ANLT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 71W(Tc) DPAK-3
型号:
NVD6416ANLT4G-001
仓库库存编号:
NVD6416ANLT4G-001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 19A(Tc) 75W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD20P03HDLT4
仓库库存编号:
MTD20P03HDLT4OS-ND
别名:MTD20P03HDLT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
HUF75309D3S
仓库库存编号:
HUF75309D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
HUF75309D3ST
仓库库存编号:
HUF75309D3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 19A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N10L
仓库库存编号:
FQP19N10L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA75309D3
仓库库存编号:
HUFA75309D3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA75309D3S
仓库库存编号:
HUFA75309D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75309P3
仓库库存编号:
HUF75309P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 19A(Tc) 3.75W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N10TM
仓库库存编号:
FQB19N10TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 19A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N10
仓库库存编号:
FQP19N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 19A(Tc) 3.75W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N10LTM
仓库库存编号:
FQB19N10LTM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20CTSTU
仓库库存编号:
FQP19N20CTSTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75309P3
仓库库存编号:
HUFA75309P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) I2PAK
型号:
FQI19N20CTU
仓库库存编号:
FQI19N20CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20C_F080
仓库库存编号:
FQP19N20C_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 19A(Tc) 71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6416ANL-1G
仓库库存编号:
NTD6416ANL-1GOS-ND
别名:NTD6416ANL-1G-ND
NTD6416ANL-1GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF19N20CYDTU
仓库库存编号:
FQPF19N20CYDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 19A(Tc),
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