产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(463)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(2)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(461)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(1)
Diodes Incorporated(20)
Fairchild/ON Semiconductor(11)
GeneSiC Semiconductor(3)
Infineon Technologies(174)
IXYS(23)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(6)
Nexperia USA Inc.(133)
NXP USA Inc.(24)
ON Semiconductor(1)
Renesas Electronics America(6)
STMicroelectronics(14)
Taiwan Semiconductor Corporation(4)
Texas Instruments(8)
Toshiba Semiconductor and Storage(5)
Vishay Siliconix(26)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB072N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名:IPB072N15N3 G E8187CT
IPB072N15N3 G E8187CT-ND
IPB072N15N3GE8187
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7004TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7004TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7004TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9844-5-ND
别名:568-9844-5
934066471127
BUK754R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK953R2-40E,127
仓库库存编号:
568-9863-5-ND
别名:568-9863-5
934066421127
BUK953R240E127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 234W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E3R2-40E,127
仓库库存编号:
568-9873-5-ND
别名:568-9873-5
934066414127
BUK9E3R240E127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E4R9-60E,127
仓库库存编号:
568-9876-5-ND
别名:568-9876-5
934066657127
BUK9E4R960E127
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8401
仓库库存编号:
IRAUIRFR8401-ND
别名:IRAUIRFR8401
SP001518132
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 99W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8403
仓库库存编号:
IRAUIRFR8403-ND
别名:IRAUIRFR8403
SP001517580
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 163W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8405
仓库库存编号:
IRAUIRFR8405-ND
别名:IRAUIRFR8405
SP001519800
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S204AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N04S204AKSA2-ND
别名:SP001063632
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S2L03AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N04S2L03AKSA2-ND
别名:SP001063638
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S205AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N06S205AKSA2-ND
别名:SP001067938
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP06CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680822
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc),
无铅
搜索
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号