产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI037N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI037N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI037N08N3 G
IPI037N08N3 G-ND
SP000454278
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI04CN10N G
仓库库存编号：
IPI04CN10N G-ND
别名：SP000398084
SP000680660
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI05CN10N G
仓库库存编号：
IPI05CN10N G-ND
别名：SP000208922
SP000680664
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI06CN10N G
仓库库存编号：
IPI06CN10N G-ND
别名：SP000208924
SP000680668
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI075N15N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI075N15N3GHKSA1-ND
别名：IPI075N15N3 G
IPI075N15N3 G-ND
SP000414712
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N04S303AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N04S303AKSA1-ND
别名：IPI100N04S3-03
IPI100N04S3-03-ND
SP000261223
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 100A（Tc） 200W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100P03P3L-04
仓库库存编号：
IPI100P03P3L-04-ND
别名：SP000311117
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP05CN10L G
仓库库存编号：
IPP05CN10L G-ND
别名：SP000308801
SP000680812
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CN10LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP06CN10LGXKSA1-ND
别名：IPP06CN10L G
IPP06CN10L G-ND
SP000308789
SP000680820
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S204AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2-04
IPP100N04S2-04-ND
SP000219056
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S2L03AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S2L03AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S205AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S205AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2-05
IPP100N06S2-05-ND
SP000218872
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05-ND
SP000218879
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 100A（Tc） 200W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100P03P3L-04
仓库库存编号：
IPP100P03P3L-04-ND
别名：SP000311114
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 333W（Tc） I2PAK
型号：
BUK7E4R3-75C,127
仓库库存编号：
568-6630-5-ND
别名：568-6630
568-6630-5
568-6630-ND
934060123127
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 104W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1825AL,115
仓库库存编号：
PH1825AL,115-ND
别名：934063226115
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH3430AL,115
仓库库存编号：
PH3430AL,115-ND
别名：934063086115
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI034NE7N3 G
仓库库存编号：
IPI034NE7N3 G-ND
别名：IPI034NE7N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB034N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB034N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3 GCT-ND
IPB034N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP037N08N3GE8181XKSA1
仓库库存编号：
IPP037N08N3GE8181XKSA1-ND
别名：IPP037N08N3 G E8181
IPP037N08N3 G E8181-ND
SP000765976
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK6507-55C,127
仓库库存编号：
568-7487-5-ND
别名：568-7487-5
934064253127
BUK6507-55C,127-ND
BUK650755C127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R4-40C,127
仓库库存编号：
568-7496-5-ND
别名：568-7496-5
934064252127
BUK653R4-40C,127-ND
BUK653R440C127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R7-30C,127
仓库库存编号：
568-7498-5-ND
别名：568-7498-5
934064244127
BUK653R7-30C,127-ND
BUK653R730C127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 204W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK654R6-55C,127
仓库库存编号：
568-7500-5-ND
别名：568-7500-5
934064246127
BUK654R6-55C,127-ND
BUK654R655C127
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD100N06S403ATMA1
仓库库存编号：
IPD100N06S403ATMA1TR-ND
别名：IPD100N06S4-03
IPD100N06S4-03-ND
SP000415576
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）,
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