产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 55W(Tj) DPAK
型号:
NTD2955T4G
仓库库存编号:
NTD2955T4GOSCT-ND
别名:NTD2955T4GOS
NTD2955T4GOS-ND
NTD2955T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 3.9W(Ta),48W(Tc) TO-252-3
型号:
MTD3055V
仓库库存编号:
MTD3055VCT-ND
别名:MTD3055VCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094T4G
仓库库存编号:
NTD3055-094T4GOSCT-ND
别名:NTD3055-094T4GOS
NTD3055-094T4GOS-ND
NTD3055-094T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055L104T4G
仓库库存编号:
NTD3055L104T4GOSCT-ND
别名:NTD3055L104T4GOS
NTD3055L104T4GOS-ND
NTD3055L104T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Ta) 55W(Tj) I-Pak
型号:
NTD2955-1G
仓库库存编号:
NTD2955-1GOS-ND
别名:NTD2955-1G-ND
NTD2955-1GOS
NTD29551G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055L104-1G
仓库库存编号:
NTD3055L104-1GOS-ND
别名:NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 125W(Tc) Power88
型号:
FCMT299N60
仓库库存编号:
FCMT299N60CT-ND
别名:FCMT299N60CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 55W(Tj) DPAK
型号:
SVD2955T4G
仓库库存编号:
SVD2955T4GOSCT-ND
别名:NVD2955T4GOSCT
NVD2955T4GOSCT-ND
SVD2955T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3632_F085
仓库库存编号:
FDB3632_F085CT-ND
别名:FDB3632_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA908PZ
仓库库存编号:
FDMA908PZCT-ND
别名:FDMA908PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) TP-FA
型号:
SFT1342-TL-W
仓库库存编号:
SFT1342-TL-WOSCT-ND
别名:SFT1342-TL-EOSCT
SFT1342-TL-EOSCT-ND
SFT1342-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8PZ 20/8V VIS WITH 2.05X2.05 P
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.4W(Ta) 6-PQFN(2x2)
型号:
FDMA008P20LZ
仓库库存编号:
FDMA008P20LZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NVD3055-094T4G-VF01
仓库库存编号:
NVD3055-094T4G-VF01-ND
别名:NVD3055-094T4G
NVD3055-094T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK-3
型号:
STDV3055L104T4G
仓库库存编号:
STDV3055L104T4G-ND
别名:NTDV3055L104T4G
NTDV3055L104T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A ECH8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.6W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8410-TL-H
仓库库存编号:
ECH8410-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TP
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) TP
型号:
SFT1342-W
仓库库存编号:
SFT1342-W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK-3
型号:
NTD12N10T4
仓库库存编号:
NTD12N10T4OSCT-ND
别名:NTD12N10T4OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD12N10-1G
仓库库存编号:
NTD12N10-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094
仓库库存编号:
NTD3055-094-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1
仓库库存编号:
NTD3055-094-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1G
仓库库存编号:
NTD3055-094-1GOS-ND
别名:NTD3055-094-1G-ND
NTD3055-094-1GOS
NTD30550941G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055L104
仓库库存编号:
NTD3055L104-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD6600N
仓库库存编号:
NTD6600N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6600N-001
仓库库存编号:
NTD6600N-001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD6600NT4
仓库库存编号:
NTD6600NT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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