产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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Microsemi Corporation
P CHANNEL JFET
详细描述：JFET P-Channel 30V 500mW Surface Mount UB
型号：
2N5115UB
仓库库存编号：
2N5115UB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD314SPEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSD314SPEH6327XTSA1-ND
别名：SP000917658
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS192PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS192PH6327XTSA1-ND
别名：SP001195030
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.3A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL305SPEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL305SPEH6327XTSA1-ND
别名：SP000953150
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.3A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL303SPEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL303SPEH6327XTSA1-ND
别名：SP000953144
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta），39.6A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ180P03NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
别名：BSZ180P03NS3 G
BSZ180P03NS3 G-ND
SP000709744
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ120P03NS3EGATMA1
仓库库存编号：
BSZ120P03NS3EGATMA1TR-ND
别名：BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
SP000709730
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9392TRPBF
仓库库存编号：
IRF9392TRPBF-ND
别名：SP001554514
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9332TRPBF
仓库库存编号：
IRF9332TRPBF-ND
别名：SP001565710
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名：SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名：SP001058782
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200P03SHXUMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SHXUMA1TR-ND
别名：BSO200P03S H
BSO200P03S H-ND
SP000613850
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03NS3EGXUMA1
仓库库存编号：
BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
别名：BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03NS3GXUMA1
仓库库存编号：
BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
别名：BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名：IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
型号：
SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号：
SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名：SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO303SPHXUMA1
仓库库存编号：
BSO303SPHXUMA1CT-ND
别名：BSO303SP HCT
BSO303SP HCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC084P03NS3EGATMA1
仓库库存编号：
BSC084P03NS3EGATMA1TR-ND
别名：BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GTR-ND
SP000473012
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.8A（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9520NPBF
仓库库存编号：
IRF9520NPBF-ND
别名：*IRF9520NPBF
Q5233848
SP001554524
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 70A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD70P04P4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD70P04P4L08ATMA1-ND
别名：SP000840206
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 20A（Tc） I-Pak
型号：
IRLU9343PBF
仓库库存编号：
IRLU9343PBF-ND
别名：*IRLU9343PBF
SP001568868
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 85A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD85P04P407ATMA1
仓库库存编号：
IPD85P04P407ATMA1-ND
别名：SP000842066
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 85A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD85P04P4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD85P04P4L06ATMA1-ND
别名：SP000842056
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名：IPD80P03P4L-07
IPD80P03P4L-07-ND
IPD80P03P4L-07INTR
IPD80P03P4L-07INTR-ND
SP000396296
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 45A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPB45P03P4L11ATMA1-ND
别名：SP000396276
产品分类：分立半导体产品,规格：FET 类型 P 沟道,
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