产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7884BDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7884BDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7884BDP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR414DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR414DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR414DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7461DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7461DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7461DP-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7461DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7461DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7461DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33
型号：
FDMC8010ET30
仓库库存编号：
FDMC8010ET30CT-ND
别名：FDMC8010ET30CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18.5A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6242
仓库库存编号：
785-1335-1-ND
别名：785-1335-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
STD60NF55LT4
仓库库存编号：
497-15669-1-ND
别名：497-15669-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 198W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R0-40YLDX
仓库库存编号：
1727-1856-1-ND
别名：1727-1856-1
568-11552-1
568-11552-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR662DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR662DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPCT
SIR662DPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7478DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7478DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7478DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7469DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7469DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7469DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4126DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4126DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4126DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），75A（Tc） 2.4W（Ta），54W（Tc） Power33
型号：
FDMC8010
仓库库存编号：
FDMC8010CT-ND
别名：FDMC8010CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR870DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR870DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR870DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR826ADP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 37.1A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P10-43L-E3
仓库库存编号：
SUD50P10-43L-E3CT-ND
别名：SUD50P10-43L-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18540Q5BT
仓库库存编号：
296-37963-1-ND
别名：296-37963-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 2.4W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP90P06-09L-E3
仓库库存编号：
SUP90P06-09L-E3-ND
别名：SUP90P0609LE3
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
2N7002KT1G
仓库库存编号：
2N7002KT1GOSCT-ND
别名：2N7002KT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.17A
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
型号：
SSM3K72CFS,LF
仓库库存编号：
SSM3K72CFSLFCT-ND
别名：SSM3K72CFSLFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 280mW（Tj） SC-70-3（SOT323）
型号：
2V7002WT1G
仓库库存编号：
2V7002WT1GOSCT-ND
别名：2V7002WT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN6140L-7
仓库库存编号：
DMN6140L-7DICT-ND
别名：DMN6140L-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN6075S-7
仓库库存编号：
DMN6075S-7DICT-ND
别名：DMN6075S-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR1P02T1G
仓库库存编号：
NTR1P02T1GOSCT-ND
别名：NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-ND
NTR1P02T1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2803TRPBF
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IRLML2803PBFCT-ND
别名：*IRLML2803TRPBF
IRLML2803PBFCT
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