产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 106W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9660-100A,118
仓库库存编号：
1727-7198-1-ND
别名：1727-7198-1
568-9687-1
568-9687-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号：
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名：IPD35N10S3L26ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 46W（Tc） P-TO252-3
型号：
IPF13N03LA G
仓库库存编号：
IPF13N03LAGINCT-ND
别名：IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINCT
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0902NS
仓库库存编号：
BSC0902NSCT-ND
别名：BSC0902NSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 215W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R2-30YLC,115
仓库库存编号：
1727-5295-1-ND
别名：1727-5295-1
568-6724-1
568-6724-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7424TRPBF
仓库库存编号：
IRF7424PBFCT-ND
别名：*IRF7424TRPBF
IRF7424PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），82A（Tc） 2.5W（Ta），29W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
别名：BSC026NE2LS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD031N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINCT-ND
IPD031N03LGINCT
IPD031N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7832TRPBF
仓库库存编号：
IRF7832PBFCT-ND
别名：*IRF7832TRPBF
IRF7832PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD048N06L3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD048N06L3GBTMA1CT-ND
别名：IPD048N06L3GBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU039N03LGXK
仓库库存编号：
IPU039N03LGXK-ND
别名：IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R0-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1859-1-ND
别名：1727-1859-1
568-11555-1
568-11555-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB034N03L G
仓库库存编号：
IPB034N03LGINCT-ND
别名：IPB034N03LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号：
IPP80N06S2L-07-ND
别名：IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3705ZTRPBF
仓库库存编号：
IRLR3705ZTRPBFCT-ND
别名：IRLR3705ZTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R8-40YLC,115
仓库库存编号：
1727-1052-1-ND
别名：1727-1052-1
568-10156-1
568-10156-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD06N03LB G
仓库库存编号：
IPD06N03LBGINCT-ND
别名：IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.6A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC079N03SG
仓库库存编号：
BSC079N03SGINCT-ND
别名：BSC079N03SGINCT
BSC079N03SGXTINCT
BSC079N03SGXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK664R8-75C,118
仓库库存编号：
1727-5527-1-ND
别名：1727-5527-1
568-7006-1
568-7006-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN2R0-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7113-1-ND
别名：1727-7113-1
568-9483-1
568-9483-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名：SP001067894
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LAT
仓库库存编号：
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名：IPB04N03LAXTINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LA
仓库库存编号：
IPB04N03LAINCT-ND
别名：IPB04N03LAINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
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IPB80N06S2L07ATMA3
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别名：IPB80N06S2L07ATMA3CT
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