产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 3W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17577Q5AT
仓库库存编号：
296-38337-1-ND
别名：296-38337-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 2.8W（Ta），108W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17575Q3T
仓库库存编号：
296-37961-1-ND
别名：296-37961-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
TP2540N3-G
仓库库存编号：
TP2540N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 161A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU7843PBF
仓库库存编号：
IRLU7843PBF-ND
别名：*IRLU7843PBF
SP001578952
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL7833PBF
仓库库存编号：
IRL7833PBF-ND
别名：*IRL7833PBF
SP001550382
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N08S2L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP80N08S2L07AKSA1-ND
别名：IPP80N08S2L-07
IPP80N08S2L-07-ND
IPP80N08S2L07
SP000219050
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL1404ZPBF
仓库库存编号：
IRL1404ZPBF-ND
别名：*IRL1404ZPBF
64-0081PBF
64-0081PBF-ND
SP001576516
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 260A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3713PBF
仓库库存编号：
IRL3713PBF-ND
别名：*IRL3713PBF
64-0082PBF
64-0082PBF-ND
SP001567066
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL1004PBF
仓库库存编号：
IRL1004PBF-ND
别名：*IRL1004PBF
SP001567104
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 306W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA8440
仓库库存编号：
FDA8440-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 31.8A（Tc） 33W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN020-30MLCX
仓库库存编号：
1727-7276-1-ND
别名：1727-7276-1
568-9906-1
568-9906-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），123A（Tc） 3.1W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD17581Q5AT
仓库库存编号：
296-44867-1-ND
别名：296-44867-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 96W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18513Q5AT
仓库库存编号：
296-45231-1-ND
别名：296-45231-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
不受无铅要求限制
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 159A（Tc） 104W（Tc） 8-VSONP（5x6）
型号：
CSD18511Q5AT
仓库库存编号：
296-45230-1-ND
别名：296-45230-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） 8-SOIC-EP
型号：
STSJ60NH3LL
仓库库存编号：
497-5252-1-ND
别名：497-5252-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON-CLIP
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 156W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD18510Q5BT
仓库库存编号：
296-46567-1-ND
别名：296-46567-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 105A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL8113PBF
仓库库存编号：
IRL8113PBF-ND
别名：*IRL8113PBF
SP001576430
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN2R7-30PL,127
仓库库存编号：
1727-4389-ND
别名：1727-4389
568-5235
568-5235-5
568-5235-5-ND
568-5235-ND
934064005127
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 2W（Ta）, 139W（Tc） TO-220AB
型号：
DMT10H010LCT
仓库库存编号：
DMT10H010LCTDI-ND
别名：DMT10H010LCTDI
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK8R2A06PL,S4X
仓库库存编号：
TK8R2A06PLS4X-ND
别名：TK8R2A06PL,S4X(S
TK8R2A06PLS4X
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220
型号：
STP105N3LL
仓库库存编号：
497-13587-5-ND
别名：497-13587-5
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK3R1A04PL,S4X
仓库库存编号：
TK3R1A04PLS4X-ND
别名：TK3R1A04PL,S4X(S
TK3R1A04PLS4X
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 87W（Tc） TO-220
型号：
TK3R1E04PL,S1X
仓库库存编号：
TK3R1E04PLS1X-ND
别名：TK3R1E04PL,S1X(S
TK3R1E04PLS1X
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 274A（Tc） 250W（Ta） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD18510KTTT
仓库库存编号：
296-45229-1-ND
别名：296-45229-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 87W（Tc） TO-220
型号：
TK4R3E06PL,S1X
仓库库存编号：
TK4R3E06PLS1X-ND
别名：TK4R3E06PL,S1X(S
TK4R3E06PLS1X
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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