产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3103TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3103PBFCT-ND
别名：*IRLR3103TRPBF
IRLR3103PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB042N03L G
仓库库存编号：
IPB042N03LGINCT-ND
别名：IPB042N03LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7416GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7416GTRPBFCT-ND
别名：IRF7416GTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0901NSI
仓库库存编号：
BSZ0901NSICT-ND
别名：BSZ0901NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta）. 100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC025N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC025N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03MSGINCT
BSC025N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名：IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0901NSI
仓库库存编号：
BSC0901NSICT-ND
别名：BSC0901NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7831TRPBF
仓库库存编号：
IRF7831PBFCT-ND
别名：*IRF7831TRPBF
IRF7831PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6626
仓库库存编号：
IRF6626CT-ND
别名：IRF6626CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 23A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC026N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC026N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9310TRPBF
仓库库存编号：
IRF9310TRPBFCT-ND
别名：IRF9310TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC018NE2LSI
仓库库存编号：
BSC018NE2LSICT-ND
别名：BSC018NE2LSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ150N10LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
别名：BSZ150N10LS3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709PBF
仓库库存编号：
IRF3709PBF-ND
别名：*IRF3709PBF
SP001570060
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420DYTRPBF
仓库库存编号：
SI4420DYPBFCT-ND
别名：*SI4420DYTRPBF
SI4420DYPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC022N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSC022N04LSATMA1CT-ND
别名：BSC022N04LSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6619
仓库库存编号：
IRF6619CT-ND
别名：IRF6619CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB081N06L3 G
仓库库存编号：
IPB081N06L3 GCT-ND
别名：IPB081N06L3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
IPC100N04S5L1R5ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPDH6N03LAG
仓库库存编号：
IPDH6N03LAGINCT-ND
别名：IPDH6N03LAGINCT
IPDH6N03LAGXTINCT
IPDH6N03LAGXTINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta）. 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ019N03LS
仓库库存编号：
BSZ019N03LSCT-ND
别名：BSZ019N03LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8202TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8202TRPBFCT-ND
别名：IRFH8202TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC016N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC016N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC016N03LS GCT
BSC016N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC014N03LS G
仓库库存编号：
BSC014N03LS GCT-ND
别名：BSC014N03LS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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