产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 45W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN7R5-30MLDX
仓库库存编号：
1727-1794-1-ND
别名：1727-1794-1
568-11377-1
568-11377-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL606SNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL606SNH6327XTSA1CT-ND
别名：BSL606SNH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 66A（Tc） 47W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R1-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1818-1-ND
别名：1727-1818-1
568-11434-1
568-11434-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7606TR
仓库库存编号：
IRF7606CT-ND
别名：*IRF7606TR
IRF7606
IRF7606CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 400mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB65ENEZ
仓库库存编号：
1727-1478-1-ND
别名：1727-1478-1
568-10949-1
568-10949-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMPB55ENEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.65W（Ta） 6-DFN2020MD（2x2）
型号：
PMPB55ENEAX
仓库库存编号：
1727-2730-1-ND
别名：1727-2730-1
568-13294-1
568-13294-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 42W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN6R1-25MLDX
仓库库存编号：
1727-2504-1-ND
别名：1727-2504-1
568-12936-1
568-12936-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 400mW（Ta），8.3W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB120EPE
仓库库存编号：
1727-1472-1-ND
别名：1727-1472-1
568-10943-1
568-10943-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-25YLB,115
仓库库存编号：
1727-6497-1-ND
别名：1727-6497-1
568-8529-1
568-8529-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0909NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0909NSATMA1CT-ND
别名：BSC0909NSATMA1CT-NDTR-ND
BSC0909NSCT
BSC0909NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 55W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4169-1-ND
别名：1727-4169-1
568-4685-1
568-4685-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP318SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP318SH6327XTSA1CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 65W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN4R2-30MLDX
仓库库存编号：
1727-1793-1-ND
别名：1727-1793-1
568-11376-1
568-11376-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），57A（Tc） 2.6W（Ta），33W（Tc） PQFN（3x3）
型号：
IRFHM8329TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8329TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8329TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9335TRPBF
仓库库存编号：
IRF9335TRPBFCT-ND
别名：IRF9335TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7606TRPBF
仓库库存编号：
IRF7606TRPBFCT-ND
别名：IRF7606TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 2.8W（Ta），37W（Tc）
型号：
IRFHM8326TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8326TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8326TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ130N03MS G
仓库库存编号：
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名：BSZ130N03MSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名：IPD30N03S2L20ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRLH7134TRPBF
仓库库存编号：
IRLH7134TRPBFCT-ND
别名：IRLH7134TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7201TRPBF
仓库库存编号：
IRF7201PBFCT-ND
别名：*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 3W（Ta），30W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8235TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8235TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8235TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名：IPD220N06L3GBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9333TRPBF
仓库库存编号：
IRF9333TRPBFCT-ND
别名：IRF9333TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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