产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL60SL216
仓库库存编号：
IRL60SL216-ND
别名：IRL60SL216 -ND
SP001558100
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc）
型号：
SUP85N10-10-GE3
仓库库存编号：
SUP85N10-10-GE3CT-ND
别名：SUP85N10-10-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
SN7002NH6327XTSA1
仓库库存编号：
SN7002NH6327XTSA1CT-ND
别名：SN7002NH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD316SNL6327XT
仓库库存编号：
BSD316SNL6327XTCT-ND
别名：BSD316SN L6327INCT
BSD316SN L6327INCT-ND
BSD316SNL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR302NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR302NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSR302N L6327CT
BSR302N L6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS138NH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSS138NH6433XTMA1CT-ND
别名：BSS138NH6433XTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7421D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7421D1PBFCT-ND
别名：*IRF7421D1TRPBF
IRF7421D1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 460mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV130ENEAR
仓库库存编号：
1727-2299-1-ND
别名：1727-2299-1
568-12585-1
568-12585-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 323mW（Ta）, 554mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV450ENEAR
仓库库存编号：
1727-2532-1-ND
别名：1727-2532-1
568-12971-1
568-12971-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMV90ENE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 460mW（Ta） TO-236AB
型号：
PMV90ENER
仓库库存编号：
1727-2735-1-ND
别名：1727-2735-1
568-13299-1
568-13299-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMN40ENE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 6-TSOP
型号：
PMN40ENEX
仓库库存编号：
1727-2734-1-ND
别名：1727-2734-1
568-13298-1
568-13298-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
IRFTS9342TRPBF
仓库库存编号：
IRFTS9342TRPBFCT-ND
别名：IRFTS9342TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMV35EPE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 480mW（Ta）, 1.2W（Tc） TO-236AB
型号：
PMV35EPER
仓库库存编号：
1727-2729-1-ND
别名：1727-2729-1
568-13293-1
568-13293-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
IRFTS8342TRPBF
仓库库存编号：
IRFTS8342TRPBFCT-ND
别名：IRFTS8342TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2030TRPBF
仓库库存编号：
IRLML2030TRPBFCT-ND
别名：IRLML2030TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta） 460mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV25ENEAR
仓库库存编号：
1727-2528-1-ND
别名：1727-2528-1
568-12967-1
568-12967-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 480mW（Ta）, 1.45W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV230ENEAR
仓库库存编号：
1727-2527-1-ND
别名：1727-2527-1
568-12966-1
568-12966-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA2
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA2CT-ND
别名：BSS127H6327XTSA2CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Nexperia USA Inc.
PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 310mW（Ta）, 455mW（Tc） TO-236AB
型号：
PMV50EPEAR
仓库库存编号：
1727-2727-1-ND
别名：1727-2727-1
568-13291-1
568-13291-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 400mW（Ta），8.33W（Tc） DFN1010D-3
型号：
PMXB56ENZ
仓库库存编号：
1727-2313-1-ND
别名：1727-2313-1
568-12599-1
568-12599-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 460mW（Ta）, 4.5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV100ENEAR
仓库库存编号：
1727-2524-1-ND
别名：1727-2524-1
568-12963-1
568-12963-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 513mW（Ta）, 6.4W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV120ENEAR
仓库库存编号：
1727-2525-1-ND
别名：1727-2525-1
568-12964-1
568-12964-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 38W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN013-30MLC,115
仓库库存编号：
1727-7138-1-ND
别名：1727-7138-1
568-9571-1
568-9571-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 490mW（Ta）, 6.25W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65ENEAR
仓库库存编号：
1727-2535-1-ND
别名：1727-2535-1
568-12974-1
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS306NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS306NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS306N H6327CT
BSS306N H6327CT-ND
BSS306NH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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