产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 25A(Tc) 29W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD25N06S4L30ATMA1
仓库库存编号:
IPD25N06S4L30ATMA1CT-ND
别名:IPD25N06S4L-30CT
IPD25N06S4L-30CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP039N04LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP039N04LGHKSA1-ND
别名:SP000391494
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP034N03LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP034N03LGHKSA1-ND
别名:SP000237660
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 25A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8252TRPBF-1
仓库库存编号:
IRF8252TRPBF-1-ND
别名:SP001563862
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 50W(Tc)
型号:
IPD50N06S4L12ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S4L12ATMA1CT-ND
别名:IPD50N06S4L12ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S2L03ATMA2
仓库库存编号:
IPB160N04S2L03ATMA2-ND
别名:SP001058964
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS040N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS040N03LGAKMA1-ND
别名:SP000810846
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