产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），120A（Tc） 3.6W（Ta），59W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8318TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8318TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8318TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8325TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8325TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8325TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），56A（Tc） 3.3W（Ta），35W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8330TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8330TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8330TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），44A（Tc） 3.2W（Ta），30W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8334TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8334TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8334TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），35A（Tc） 3.2W（Ta），27W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8337TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8337TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8337TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK663R5-55C,118
仓库库存编号：
1727-5523-1-ND
别名：1727-5523-1
568-7002-1
568-7002-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 45A（Tc） 45W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45N04S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
别名：IPB45N04S4L-08
IPB45N04S4L-08-ND
SP000711444
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS84PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS84PH6327XTSA1-ND
别名：BSS84P H6327
BSS84P H6327-ND
SP000702496
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta），74A（Tc） 2.1W（Ta），32W（Tc） DIRECTFET? SQ
型号：
IRF6811STR1PBF
仓库库存编号：
IRF6811STR1PBFCT-ND
别名：IRF6811STR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 32A（Ta），160A（Tc） 2.1W（Ta），54W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6894MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6894MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6894MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 35A（Ta），213A（Tc） 2.1W（Ta），78W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6898MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6898MTR1PBFCT-ND
别名：IRF6898MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），75W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF8306MTR1PBF
仓库库存编号：
IRF8306MTR1PBFCT-ND
别名：IRF8306MTR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC205N10LS G
仓库库存编号：
BSC205N10LS GCT-ND
别名：BSC205N10LS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC882N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC882N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC882N03MS GCT
BSC882N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC883N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC883N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC883N03MS GCT
BSC883N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 17A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC884N03MS G
仓库库存编号：
BSC884N03MS GCT-ND
别名：BSC884N03MS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 44A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC889N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC889N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC889N03MS GCT
BSC889N03MS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP125L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSP125L6433HTMA1CT-ND
别名：BSP125 L6433CT
BSP125 L6433CT-ND
BSP125L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB022N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB022N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB022N04L GCT
IPB022N04L GCT-ND
IPB022N04LG
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB039N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB039N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB039N04L GCT
IPB039N04L GCT-ND
IPB039N04LG
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB049N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB049N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB049N06L3 GCT
IPB049N06L3 GCT-ND
IPB049N06L3G
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB075N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB075N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-ND
IPB075N04LG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB093N04LGATMA1
仓库库存编号：
IPB093N04LGATMA1CT-ND
别名：IPB093N04L GCT
IPB093N04L GCT-ND
IPB093N04LG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
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IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
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