产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），44A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5306TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5306TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5306TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 45A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5250TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5250TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5250TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5300TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5300TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5300TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 104W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1825AL,115
仓库库存编号：
PH1825AL,115-ND
别名：934063226115
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO130N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO130N03MS GCT
BSO130N03MS GCT-ND
BSO130N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS315P L6327CT
BSS315P L6327CT-ND
BSS315PL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL302SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL302SN L6327INCT
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO220N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO220N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO220N03MS GINCT
BSO220N03MS GINCT-ND
BSO220N03MSG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03M G
仓库库存编号：
IPD031N03M GINCT-ND
别名：IPD031N03M GINCT
IPD031N03MG
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5250DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5250DTR2PBFCT-ND
别名：IRFH5250DTR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），51A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5255TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5255TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5255TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5302DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5302DTR2PBFCT-ND
别名：IRFH5302DTR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），79A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5304TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5304TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5304TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号：
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名：IRLH5030TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 114W（Tc） DPAK
型号：
BUK9240-100A/C1,11
仓库库存编号：
BUK9240-100A/C1,11-ND
别名：934061623118
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） 77W（Tc） DPAK
型号：
BUK9237-55A/C1,118
仓库库存编号：
BUK9237-55A/C1,118-ND
别名：934061634118
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 103W（Tc） DPAK
型号：
BUK9222-55A/C1,118
仓库库存编号：
BUK9222-55A/C1,118-ND
别名：934061635118
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB019N03LX G
仓库库存编号：
BSB019N03LX G-ND
别名：SP000597826
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB024N03LX G
仓库库存编号：
BSB024N03LX G-ND
别名：SP000597838
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB053N03LP G
仓库库存编号：
BSB053N03LP G-ND
别名：SP000597830
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF053N03LT G
仓库库存编号：
BSF053N03LT G-ND
别名：SP000597832
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF083N03LQ G
仓库库存编号：
BSF083N03LQ G-ND
别名：SP000597834
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA1-ND
别名：BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS314PEL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS314PE L6327
BSS314PE L6327-ND
SP000473000
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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