产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-11-ND
别名:SP000013586
SPB80N06S2L11T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-H5-ND
别名:SP000013796
SPB80N06S2LH5T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB80N08S2L-07-ND
别名:SP000016359
SPB80N08S2L07T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N10L
仓库库存编号:
SPB80N10L-ND
别名:SP000014350
SPB80N10LT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD15N06S2L-64
仓库库存编号:
SPD15N06S2L-64-ND
别名:SP000013573
SPD15N06S2L64T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 25A(Tc) 75W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD22N08S2L-50
仓库库存编号:
SPD22N08S2L-50-ND
别名:SP000013910
SPD22N08S2L50T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD26N06S2L-35
仓库库存编号:
SPD26N06S2L-35-ND
别名:SP000013570
SPD26N06S2L35T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-13-ND
别名:SP000012478
SPD30N06S2L13T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-23-ND
别名:SP000013127
SPD30N06S2L23T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2L-21
仓库库存编号:
SPD30N08S2L-21-ND
别名:SP000013152
SPD30N08S2L21T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 50A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD50N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD50N06S2L-13-ND
别名:SP000013568
SPD50N06S2L13T
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI10N10L
仓库库存编号:
SPI10N10L-ND
别名:SP000013850
SPI10N10LX
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPI42N03S2L-13-ND
别名:SP000013897
SPI42N03S2L13X
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI47N10L
仓库库存编号:
SPI47N10L-ND
别名:SP000013952
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI70N10L
仓库库存编号:
SPI70N10L-ND
别名:SP000014005
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI73N03S2L-08
仓库库存编号:
SPI73N03S2L-08-ND
别名:SP000016263
SPI73N03S2L08X
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-03-ND
别名:SP000016261
SPI80N03S2L03X
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-04
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-04-ND
别名:SP000013903
SPI80N03S2L04X
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-05
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-05-ND
别名:SP000016266
SPI80N03S2L05X
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-06-ND
别名:SP000016265
SPI80N03S2L06X
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPI80N06S2L-05-ND
别名:SP000016360
SPI80N06S2L05
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPI80N06S2L-11-ND
别名:SP000029960
SPI80N06S2L11
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N10L
仓库库存编号:
SPI80N10L-ND
别名:SP000014351
SPI80N10LX
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N04S2L-03-ND
别名:SP000013719
SPP100N04S2L03
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2-05-ND
别名:SP000013720
SPP100N06S205
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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