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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 16A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MP
  
  型号：IRF6633TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6633TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6633TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6635TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6635TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6635TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 18A（Ta），81A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6636TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6636TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6636TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），59A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MP
  
  型号：IRF6637TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6637TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6637TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），140A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6638TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6638TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6638TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6678TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6678TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6678TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 32A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT
  
  型号：IRF6691TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6691TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6691TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 300mA（Tc） 830mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000,126
  仓库库存编号：2N7000,126-ND
  别名：2N7000 AMO
  2N7000 AMO-ND
  934003460126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC022N03S
  仓库库存编号：BSC022N03S-ND
  别名：BSC022N03ST
  SP000014713
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 27A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC024N025S G
  仓库库存编号：BSC024N025S G-ND
  别名：BSC024N025SGXT
  SP000095464
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N03S G
  仓库库存编号：BSC027N03S G-ND
  别名：BSC027N03SGXT
  SP000095462
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N03S
  仓库库存编号：BSC032N03S-ND
  别名：BSC032N03ST
  SP000014714
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 21A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC037N025S G
  仓库库存编号：BSC037N025S G-ND
  别名：BSC037N025SGXT
  SP000095466
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），80A（Tc） 2.8W（Ta），54W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC052N03S G
  仓库库存编号：BSC052N03S G-ND
  别名：BSC052N03SGXT
  SP000056192
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC072N025S G
  仓库库存编号：BSC072N025S G-ND
  别名：BSC072N025SGXT
  SP000095468
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 14A（Ta），35A（Tc） 2.8W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC085N025S G
  仓库库存编号：BSC085N025S G-ND
  别名：BSC085N025SGXT
  SP000095469
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.6A（Ta），35A（Tc） 2.8W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC094N03S G
  仓库库存编号：BSC094N03S G-ND
  别名：BSC094N03SGXT
  SP000016415
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 13A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC106N025S G
  仓库库存编号：BSC106N025S G-ND
  别名：BSC106N025SGXT
  SP000095470
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO064N03S
  仓库库存编号：BSO064N03S-ND
  别名：BSO064N03SXT
  SP000077646
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO094N03S
  仓库库存编号：BSO094N03S-ND
  别名：BSO094N03SNT
  BSO094N03SXT
  SP000077648
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Tc） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO104N03S
  仓库库存编号：BSO104N03S-ND
  别名：BSO104N03SNT
  BSO104N03SXT
  SP000077649
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125 E6327
  仓库库存编号：BSP125 E6327-ND
  别名：BSP125E6327T
  SP000011100
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 120mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP125 E6433
  仓库库存编号：BSP125 E6433-ND
  别名：BSP125E6433T
  SP000011101
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296 E6433
  仓库库存编号：BSP296 E6433-ND
  别名：BSP296E6433T
  SP000011107
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP297 E6327
  仓库库存编号：BSP297 E6327-ND
  别名：BSP297E6327T
  SP000011108
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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