产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP03N03LA
仓库库存编号:
IPP03N03LAIN-ND
别名:IPP03N03LAIN
IPP03N03LAX
IPP03N03LAXTIN
IPP03N03LAXTIN-ND
SP000014035
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 83W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU07N03LA
仓库库存编号:
IPU07N03LAIN-ND
别名:IPU07N03LAIN
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU13N03LA G
仓库库存编号:
IPU13N03LAGIN-ND
别名:IPU13N03LA
IPU13N03LAGIN
IPU13N03LAGX
IPU13N03LAGXTIN
IPU13N03LAGXTIN-ND
IPU13N03LAIN
IPU13N03LAIN-ND
SP000017538
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP09N03LA
仓库库存编号:
IPP09N03LAIN-ND
别名:IPP09N03LAIN
IPP09N03LAX
IPP09N03LAX-ND
SP000014031
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP14N03LA
仓库库存编号:
IPP14N03LAIN-ND
别名:IPP14N03LAIN
IPP14N03LAX
IPP14N03LAXTIN
IPP14N03LAXTIN-ND
SP000014028
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP05N03LA
仓库库存编号:
IPP05N03LAIN-ND
别名:IPP05N03LAIN
IPP05N03LAX
IPP05N03LAXTIN
IPP05N03LAXTIN-ND
SP000014020
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06N03LA
仓库库存编号:
IPP06N03LAIN-ND
别名:IPP06N03LAIN
IPP06N03LAX
IPP06N03LAXTIN
IPP06N03LAXTIN-ND
SP000014025
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP04N03LA
仓库库存编号:
IPP04N03LAIN-ND
别名:IPP04N03LAIN
IPP04N03LAX
IPP04N03LAXTIN
IPP04N03LAXTIN-ND
SP000014353
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL307SP
仓库库存编号:
BSL307SPINTR-ND
别名:BSL307SPINTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12.6A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO301SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO301SPNTMA1CT-ND
别名:BSO301SPINCT
BSO301SPINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.9A(Ta) 2.35W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO303SPINCT-ND
别名:BSO303SPINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4410
仓库库存编号:
BSO4410INCT-ND
别名:BSO4410INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4420
仓库库存编号:
BSO4420INCT-ND
别名:BSO4420INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4822
仓库库存编号:
BSO4822INCT-ND
别名:BSO4822INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327
仓库库存编号:
BSP171PE6327INCT-ND
别名:BSP171PE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 680mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP316PE6327
仓库库存编号:
BSP316PE6327INCT-ND
别名:BSP316PE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 430mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP317PE6327
仓库库存编号:
BSP317PE6327INCT-ND
别名:BSP317PE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2L
仓库库存编号:
BSS670S2LINCT-ND
别名:BSS670S2LINCT
BSS670S2LXTINCT
BSS670S2LXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PE6327
仓库库存编号:
BSS83PE6327INCT-ND
别名:BSS83PE6327INCT
BSS83PE6327XTINCT
BSS83PE6327XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA
仓库库存编号:
IPB05N03LAINCT-ND
别名:IPB05N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA
仓库库存编号:
IPB06N03LAINCT-ND
别名:IPB06N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB09N03LA
仓库库存编号:
IPB09N03LAINTR-ND
别名:IPB09N03LAINTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LA
仓库库存编号:
IPB14N03LAINTR-ND
别名:IPB14N03LAINTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD04N03LA G
仓库库存编号:
IPD04N03LAGINCT-ND
别名:IPD04N03LAGINCT
IPD04N03LAINCT
IPD04N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LA G
仓库库存编号:
IPD05N03LAGINTR-ND
别名:IPD05N03LA
IPD05N03LAG
IPD05N03LAGINTR
IPD05N03LAGXT
IPD05N03LAGXT-ND
IPD05N03LAINTR
IPD05N03LAINTR-ND
SP000017599
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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