产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3711
仓库库存编号：
IRF3711-ND
别名：*IRF3711
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
型号：
IRF3711L
仓库库存编号：
IRF3711L-ND
别名：*IRF3711L
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3709
仓库库存编号：
IRF3709-ND
别名：*IRF3709
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707
仓库库存编号：
IRFR3707-ND
别名：*IRFR3707
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRL
仓库库存编号：
IRF3709STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRR
仓库库存编号：
IRF3709STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711STRL
仓库库存编号：
IRF3711STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711STRR
仓库库存编号：
IRF3711STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5800TR
仓库库存编号：
IRF5800TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF5803D2TR
仓库库存编号：
IRF5803D2TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5803TR
仓库库存编号：
IRF5803TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5804TR
仓库库存编号：
IRF5804TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5805TR
仓库库存编号：
IRF5805TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 10.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7240TR
仓库库存编号：
IRF7240TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7241TR
仓库库存编号：
IRF7241TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7424TR
仓库库存编号：
IRF7424TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7471TR
仓库库存编号：
IRF7471TR-ND
别名：SP001577558
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7477TR
仓库库存编号：
IRF7477TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7703TR
仓库库存编号：
IRF7703TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7704TR
仓库库存编号：
IRF7704TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
型号：
IRF7705TR
仓库库存编号：
IRF7705TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.51W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7706TR
仓库库存编号：
IRF7706TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707TR
仓库库存编号：
IRFR3707TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707TRL
仓库库存编号：
IRFR3707TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707TRR
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IRFR3707TRR-ND
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