产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
别名:NP100P04PLG-E1-AY-ND
NP100P04PLG-E1-AYTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 36A(Tc) 1.8W(Ta),56W(Tc) TO-263
型号:
NP36P06KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P06KDG-E1-AYCT
NP36P06KDGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.8W(Ta),115W(Tc) TO-263
型号:
NP80N04PLG-E1B-AY
仓库库存编号:
NP80N04PLG-E1B-AYCT-ND
别名:NP80N04PLG-E1B-AYCT
NP80N04PLGE1BAY
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 1.8W(Ta),115W(Tc) TO-263
型号:
NP80N06PLG-E1B-AY
仓库库存编号:
NP80N06PLG-E1B-AYCT-ND
别名:NP80N06PLG-E1B-AYCT
NP80N06PLGE1BAY
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 83A(Tc) 1.8W(Ta),150W(Tc) TO-263
型号:
NP83P04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP83P04PDG-E1-AYCT-ND
别名:NP83P04PDG-E1-AYCT
NP83P04PDGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 83A(Tc) 1.8W(Ta),150W(Tc) TO-263
型号:
NP83P06PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP83P06PDG-E1-AYCT-ND
别名:NP83P06PDG-E1-AYCT
NP83P06PDGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N03KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N03KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP88N03KDG-E1-AYCT
NP88N03KDGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 90A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N06VLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N06VLG-E1-AYCT-ND
别名:NP90N06VLG-E1-AYCT
NP90N06VLGE1AY
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK03C1DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK03C1DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK03C1DPB-00#J5CT
RJK03C1DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 45A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0452DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0452DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0452DPB-00#J5CT
RJK0452DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 30A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0852DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0852DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0852DPB-00#J5CT
RJK0852DPB00J5
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 25A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1053DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1053DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK1053DPB-00#J5CT
RJK1053DPB00J5
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 39A(Tc) 30W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN010-25YLC,115
仓库库存编号:
568-8525-1-ND
别名:568-8525-1
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 33A(Tc) 26W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN012-25YLC,115
仓库库存编号:
568-8527-1-ND
别名:568-8527-1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 18A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD472A
仓库库存编号:
785-1280-1-ND
别名:785-1280-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 28A(Ta),172A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5830NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5830NLT1G-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Tc) 3.3W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SQ1420EEH-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ1420EEH-T1-GE3CT-ND
别名:SQ1420EEH-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.5A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2361EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2361EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2361EES-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.5A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3427EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3427EEV-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 7.4A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3419EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3419EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3419EEV-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3418EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3418EEV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3426EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3426EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3426EEV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.4A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2360EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2360EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2360EES-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMG4406LSS-13
仓库库存编号:
DMG4406LSS-13DICT-ND
别名:DMG4406LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN359BN
仓库库存编号:
FDN359BNFSCT-ND
别名:FDN359BNFSCT
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