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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 22A（Ta） 1.2W（Ta），45W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP22N055SLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP22N055SLE-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 36A（Tc） 1.8W（Ta），56W（Tc） TO-263
  
  型号：NP36P04KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P04KDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 36A（Tc） 1.2W（Ta），56W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP36P06SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP36P06SLG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 1.8W（Ta），85W（Tc） TO-263
  
  型号：NP48N055KLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP48N055KLE-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263
  
  型号：NP50P04KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P04KDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263
  
  型号：NP50P06KDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP50P06KDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP55N055SDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP55N055SDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
  
  型号：NP80N055KLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP80N055KLE-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-262
  
  型号：NP80N055NDG-S18-AY
  仓库库存编号：NP80N055NDG-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP80N06MLG-S18-AY
  仓库库存编号：NP80N06MLG-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-263
  
  型号：NP82N04PDG-E1-AY
  仓库库存编号：NP82N04PDG-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.7A（Tj） 545mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：PMN20EN,115
  仓库库存编号：568-8416-1-ND
  别名：568-8416-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） DPAK
  
  型号：TK40P03M1(T6RDS-Q)
  仓库库存编号：TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND
  别名：TK40P03M1T6RDSQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 45A（Ta） DPAK
  
  型号：TK45P03M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK45P03M1RQ(S-ND
  别名：TK45P03M1RQ(S
  TK45P03M1RQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6008-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6008-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6008-H(TE85LFM
  TPC6008HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.3A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6009-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6009-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6009-H(TE85LFM
  TPC6009HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.1A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6010-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6010-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6010-H(TE85LFM
  TPC6010HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 6A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6011(TE85L,F,M)
  仓库库存编号：TPC6011(TE85LFM)-ND
  别名：TPC6011(TE85LFM)
  TPC6011TE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8125,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8125LQ(S-ND
  别名：TPC8125LQ(S
  TPC8125LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8126,LQ(CM
  仓库库存编号：TPC8126LQ(CM-ND
  别名：TPC8126LQ(CM
  TPC8126LQCM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A05-H(TE12L,QM
  仓库库存编号：TPC8A05-H(TE12LQM-ND
  别名：TPC8A05-H(TE12LQM
  TPC8A05HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A06-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
  别名：TPC8A06HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8065-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8065-HLQ(S
  TPCC8065HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 700mW（Ta），17W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8066-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8066-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8066-HLQ(S
  TPCC8066HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 700mW（Ta），15W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8067-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8067-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8067-HLQ(S
  TPCC8067HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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