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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Ta） 140W（Tc） TO-220（W）
  
  型号：TK55D10J1(Q)
  仓库库存编号：TK55D10J1(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 60A（Ta） 140W（Tc） TO-220（W）
  
  型号：TK60D08J1(Q)
  仓库库存编号：TK60D08J1(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 70A TO220W
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 70A（Ta） 45W（Tc） TO-220（W）
  
  型号：TK70D06J1(Q)
  仓库库存编号：TK70D06J1(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6006-H(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPC6006-H(TE85L,F)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8014(TE12L,Q,M)
  仓库库存编号：TPC8014(TE12L,Q,M)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8018-H(TE12LQM)
  仓库库存编号：TPC8018-H(TE12LQM)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8021-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.5A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8022-H(TE12LQ,M
  仓库库存编号：TPC8022-H(TE12LQ,M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8A02-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8A02-H(TE12L,Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8003-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8003-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8005-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8005-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8012-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8012-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 30A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8018-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8018-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8021-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8021-H(TE12LQM-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8023-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8023-H(TE12LQM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8031-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8031-H(TE12L,Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8A01-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8A01-H(TE12L,Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.2A（Ta） 1W（Ta），30W（Tc） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8001-H(TE85LFM
  仓库库存编号：TPCP8001-H(TE85LFM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.1A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4825DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4825DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4825DY-T1-GE3CT
  SI4825DYT1GE3
  
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  MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5435BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5435BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5435BDC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6410DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6410DQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6410DQ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6435ADQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6435ADQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6435ADQ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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  MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6459BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6459BDQ-T1-GE3CT
  SI6459BDQT1GE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.3A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7120DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7120DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7120DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13A（Ta） 1.7W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7366DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7366DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7366DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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