产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA416DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA416DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA416DJ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 1.6W（Ta），34W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH11006NL,LQ
仓库库存编号：
TPH11006NLLQCT-ND
别名：TPH11006NLLQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta），14A（Tc） 42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD4243
仓库库存编号：
FDD4243CT-ND
别名：FDD4243CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7205TRPBF
仓库库存编号：
IRF7205PBFCT-ND
别名：*IRF7205TRPBF
IRF7205PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），94A（Tc） 80W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8896
仓库库存编号：
FDD8896CT-ND
别名：FDD8896CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6670AS
仓库库存编号：
FDS6670ASFSCT-ND
别名：FDS6670ASFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SOT-26
型号：
ZXM62P03E6TA
仓库库存编号：
ZXM62P03E6CT-ND
别名：ZXM62P03E6
ZXM62P03E6CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 840mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4177PR2G
仓库库存编号：
NTMS4177PR2GCT-ND
别名：NTMS4177PR2GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 42A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6358
仓库库存编号：
785-1739-1-ND
别名：785-1739-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4435DDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4435DDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4435DDY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.1A（Ta） 1.45W（Ta） 8-SO
型号：
DMP4015SSS-13
仓库库存编号：
DMP4015SSS-13DICT-ND
别名：DMP4015SSS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN4R0-30YLDX
仓库库存编号：
1727-1232-1-ND
别名：1727-1232-1
568-10433-1
568-10433-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN3R5-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4166-1-ND
别名：1727-4166-1
568-4682-1
568-4682-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 91W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN2R4-30MLDX
仓库库存编号：
1727-1791-1-ND
别名：1727-1791-1
568-11374-1
568-11374-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1.79W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7726TRPBF
仓库库存编号：
IRF7726TRPBFCT-ND
别名：IRF7726TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），58A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050NE2LS
仓库库存编号：
BSC050NE2LSCT-ND
别名：BSC050NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），79A（Tc） 850mW（Ta），43W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4932NTAG
仓库库存编号：
NTTFS4932NTAGOSCT-ND
别名：NTTFS4932NTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17507Q5A
仓库库存编号：
296-27791-1-ND
别名：296-27791-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4174DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4174DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4174DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMN6A08GTA
仓库库存编号：
ZXMN6A08GCT-ND
别名：ZXMN6A08GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP295H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP295H6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
型号：
CSD17551Q3A
仓库库存编号：
296-35025-1-ND
别名：296-35025-1
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名：BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8780
仓库库存编号：
FDD8780CT-ND
别名：FDD8780CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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