产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S4L07AKSA2-ND
别名：SP001028678
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L09ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S2L09ATMA2-ND
别名：SP001061720
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P4L06AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P4L06AKSA1-ND
别名：SP000842050
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3717PBF
仓库库存编号：
IRLR3717PBF-ND
别名：*IRLR3717PBF
SP001568638
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L04ATMA1-ND
别名：SP000840196
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80P03P4L07AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P03P4L07AKSA1-ND
别名：IPI80P03P4L-07
IPI80P03P4L-07-ND
SP000396320
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L09AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L09AKSA2-ND
别名：SP001061718
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0500NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0500NSIATMA1-ND
别名：SP001288136
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 31A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ014NE2LS5IFATMA1
仓库库存编号：
BSZ014NE2LS5IFATMA1-ND
别名：SP001258924
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0500NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0500NSIATMA1-ND
别名：SP001288150
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L04AKSA1-ND
别名：SP000840200
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10S3L12ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
SP000379631
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S4L06ATMA1-ND
别名：SP000866562
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP084N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP084N06L3GXKSA1-ND
别名：IPP084N06L3 G
IPP084N06L3 G-ND
SP000680838
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI084N06L3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI084N06L3GXKSA1-ND
别名：SP001065242
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7416QTR
仓库库存编号：
AUIRF7416QTR-ND
别名：SP001516460
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L-04-ND
SP000396284
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名：SP001385616
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N03S4L03AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N03S4L03AKSA1-ND
别名：IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03-ND
SP000273285
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 46A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB008NE2LXXUMA1
仓库库存编号：
BSB008NE2LXXUMA1-ND
别名：SP000880866
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS040N03LGBKMA1
仓库库存编号：
IPS040N03LGBKMA1-ND
别名：IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC159N10LSF G
仓库库存编号：
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名：BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号：
IPI50N10S3L16AKSA1-ND
别名：IPI50N10S3L-16
IPI50N10S3L-16-ND
SP000407120
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB47N10SL-26
仓库库存编号：
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名：IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N10S3L12AKSA1-ND
别名：IPI70N10S3L-12
IPI70N10S3L-12-ND
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