产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 5W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7374DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7374DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），4.4W（Tc） 8-SO
型号：
SI4636DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4636DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4636DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Tj） 2.5W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
TN2640K4-G
仓库库存编号：
TN2640K4-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Ta） 1W（Ta），50W（Tc） TO-251（MP-3）
型号：
2SK3482-AZ
仓库库存编号：
2SK3482-AZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4368DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4368DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8052-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8052-H(TE12LQMCT-ND
别名：TPCA8052-H(TE12LQMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110N05-06L_GE3
仓库库存编号：
SQM110N05-06L_GE3-ND
别名：SQM110N05-06L-GE3
SQM110N05-06L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120N02-1M3L_GE3
仓库库存编号：
SQM120N02-1M3L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5T
仓库库存编号：
CSD16415Q5T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.1W（Ta），78.1W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N03-3M6P-GE3
仓库库存编号：
SUP85N03-3M6P-GE3-ND
别名：SUP85N03-3M6P-GE3CT
SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4408DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4408DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），235A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），250A（Tc） 3.8W（Ta）, 167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C612NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C612NLWFAFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），300A（Tc） 3.33W（Ta）, 125W（Tc） Power56
型号：
FDMS8350LET40
仓库库存编号：
FDMS8350LET40-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE812DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE812DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE812DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE812DF-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8860
仓库库存编号：
FDB8860CT-ND
别名：FDB8860CT
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM200N04-1M7L_GE3
仓库库存编号：
SQM200N04-1M7L_GE3-ND
别名：SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），210A（Tc） 1.06W（Ta），104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4933NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4933NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 230W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110P06-8M9L_GE3
仓库库存编号：
SQM110P06-8M9L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 100A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP100P06-9M3L_GE3
仓库库存编号：
SQP100P06-9M3L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-262-3
型号：
SQV120N06-4M7L_GE3
仓库库存编号：
SQV120N06-4M7L_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N10-10_GE3
仓库库存编号：
SQM100N10-10_GE3-ND
别名：SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-ND
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