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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P02FTA
  仓库库存编号：ZXM61P02FCT-ND
  别名：ZXM61P02F
  ZXM61P02FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6302TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6302PBFCT-ND
  别名：*IRLML6302TRPBF
  IRLML6302PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6302GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML6302GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML6302GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P02FTC
  仓库库存编号：ZXM61P02FTC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6302TR
  仓库库存编号：IRLML6302CT-ND
  别名：*IRLML6302TR
  IRLML6302
  IRLML6302-ND
  IRLML6302CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V,
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