产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 13.4A(Ta),67A(Tc) 3.6W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6674TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6674TR1PBFCT-ND
别名:IRF6674TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.9A(Ta),28A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6775MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6775MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6775MTR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.4A(Ta),19A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) DIRECTFET? MZ
型号:
IRF6785MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6785MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6785MTR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7343QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7343QTRPBFCT-ND
别名:IRF7343QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R250CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R250CPHKSA1-ND
别名:IPP50R250CP
IPP50R250CP-ND
SP000236071
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB075N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB075N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-ND
IPB075N04LG
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