产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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分立半导体产品
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMC3A18DN8TA
仓库库存编号:
ZXMC3A18DN8CT-ND
别名:ZXMC3A18DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 173W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N65CTM
仓库库存编号:
FQB7N65CTMCT-ND
别名:FQB7N65CTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 70A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
AOT462
仓库库存编号:
785-1147-2-ND
别名:785-1147-2
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.26A(Tc) 147W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N60CFTM
仓库库存编号:
FQB8N60CFTM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N65C_F105
仓库库存编号:
FQPF7N65C_F105-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF8N60CT
仓库库存编号:
FQPF8N60CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4226DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4226DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4226DY-T1-GE3TR
SI4226DYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Tc) 2.5W(Ta),41W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR130ATM
仓库库存编号:
IRFR130ATM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9630
仓库库存编号:
SFP9630-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 34A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8A02-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8A02-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4226DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4226DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.3A(Ta) 2W(Ta),36W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4004
仓库库存编号:
BFL4004-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Ta),25A(Tc) 2.4W(Ta),31W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6408L
仓库库存编号:
785-1341-1-ND
别名:785-1341-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),100W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB462L
仓库库存编号:
AOB462L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A060FH
仓库库存编号:
GP1M010A060FH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M013A050FH
仓库库存编号:
GP1M013A050FH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A060H
仓库库存编号:
1560-1175-5-ND
别名:1560-1175-1
1560-1175-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 183W(Tc) TO-220
型号:
GP1M013A050H
仓库库存编号:
1560-1181-5-ND
别名:1560-1181-1
1560-1181-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9.5A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M010A065F
仓库库存编号:
1560-1207-5-ND
别名:1560-1207-1
1560-1207-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9.5A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP2M010A065H
仓库库存编号:
1560-1208-5-ND
别名:1560-1208-1
1560-1208-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 3.1W(Ta)
型号:
AO4407B
仓库库存编号:
AO4407B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 3.1W(Ta)
型号:
AO4407BL
仓库库存编号:
AO4407BL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4494H
仓库库存编号:
AO4494H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 52A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 52A(Tc) 120W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP52N06T,127
仓库库存编号:
PHP52N06T,127-ND
别名:934056885127
PHP52N06T
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 54A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 54A(Tc) 118W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP54N06T,127
仓库库存编号:
PHP54N06T,127-ND
别名:934056643127
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