产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 1.7W(Tc) SOT-23-3
型号:
SI2347DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2347DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2347DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 2.4W(Ta) SOT-223-4
型号:
IRFM120ATF
仓库库存编号:
IRFM120ATFCT-ND
别名:IRFM120ATFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS9407
仓库库存编号:
NDS9407CT-ND
别名:NDS9407CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
STD44N4LF6
仓库库存编号:
497-11098-1-ND
别名:497-11098-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4948BEY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4948BEY-T1-E3CT-ND
别名:SI4948BEY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA7630
仓库库存编号:
FDMA7630CT-ND
别名:FDMA7630CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC86102LZ
仓库库存编号:
FDMC86102LZCT-ND
别名:FDMC86102LZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta),15A(Tc) 2.3W(Ta),40W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC86139P
仓库库存编号:
FDMC86139PCT-ND
别名:FDMC86139PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),30A(Tc) 3W(Ta),23W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7534
仓库库存编号:
785-1604-1-ND
别名:785-1604-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 51W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN7R0-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4170-1-ND
别名:1727-4170-1
568-4686-1
568-4686-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261)
型号:
NTF3055-100T1G
仓库库存编号:
NTF3055-100T1GOSCT-ND
别名:NTF3055-100T1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3427AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3427AEEV-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7309DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7309DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7309DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7309DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7309DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7309DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-1
型号:
SPD04N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD04N50C3ATMA1CT-ND
别名:SPD04N50C3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86102LZ
仓库库存编号:
FDMS86102LZCT-ND
别名:FDMS86102LZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPATMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9620PBF
仓库库存编号:
IRF9620PBF-ND
别名:*IRF9620PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
STP15N65M5
仓库库存编号:
497-12936-5-ND
别名:497-12936-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10N80K5
仓库库存编号:
497-15113-5-ND
别名:497-15113-5
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),27W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7692
仓库库存编号:
FDMS7692CT-ND
别名:FDMS7692CT
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMP3028LFDE-7
仓库库存编号:
DMP3028LFDE-7DICT-ND
别名:DMP3028LFDE-7DICT
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4838
仓库库存编号:
785-1688-1-ND
别名:785-1688-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 19A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta),19A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD256
仓库库存编号:
785-1476-1-ND
别名:785-1476-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 130W(Tc) TO-220
型号:
STP10N95K5
仓库库存编号:
497-14568-5-ND
别名:497-14568-5
STP10N95K5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 10V,
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